Zn1-xCoxO晶体薄膜结构和铁磁特性.pdfVIP

第32卷第1期 南昌大学学报(理科版) Vo1．32 No．1 2008年2月 Journal of Nanchang University(Natural Science) F b．2oo8 文章编号：1006—0464(2008)01—0042—04 Zn 一 Co O晶体薄膜结构和铁磁特性 余 萍 ，熊狂炜 ，邱东江 (1．华东交通大学物理系，江西南昌 330013；2 浙江大学物理系浙江杭州 310027) 摘 要：利用电子束反应蒸发法(REBE)在Si和石英玻璃衬底上生长zn Co O晶体薄膜，衬底温度分别为250、 350和500℃。对晶体的微结构特性进行研究，x一射线衍射(XRD)结果表明zn一 Co O晶体薄膜在250℃有高 度的c一轴取向；而且随着温度升高，出现更明显的多晶峰且峰值强度越来越强。紫外一可见光(uV—VIS)测量 结果说明co离子虽然部分替代zn离子进入ZnO晶格里面，但并没有改变ZnO的纤锌矿结构。利用物理特性测量 系统(PPMS)测得zn Co O晶体薄膜M—H和M—T特性曲线来研究zn一 Co 0晶体薄膜的铁磁特性，结果显 示zn Co O薄膜是铁磁性的，而且居里温度在室温以上，这种特性使得zn Co O有可能在自旋器件中得到广 泛应用。 关键词：电子束反应蒸发法；Zn Co O薄膜；铁磁特性 中图分类号：0484．1；0484，4 文献标识码：A 近年来一种所谓“自旋电子学”(亦即自旋+电 稳定的高居里温度的铁磁性 j。在Died理论基 子学)引起了许多研究者的兴趣，利用它制成的自 础上，Ueda等人 6 报导了利用脉冲激光沉积技术得 旋电子器件比传统的半导体器件有着更多的优点， 到居里温度高于室温的的co掺杂的ZnO铁磁性薄 是一个正在快速发展 的新领域。稀磁半导体 膜。其他小组的继续研究表明Co掺杂的ZnO磁性 (DMS)是建立在非磁性半导体基础上，通过利用过 薄膜具有高的居里温度 卜 。基于上面这些研究， 渡金属离子(如Fe、Co、Mn等)替代施主半导体阳离 co掺杂的ZnO的DMS在自旋电子器件中有潜在用 子而产生磁性的一种全新材料。DMS有许多新颖的 途。我们在这篇文章中报导了应用电子束反应蒸发 特性，例如大的g因子、法拉第旋转效应、巨磁阻、磁 法(REBE)技术低温生长的co掺杂的ZnO薄膜。 光效应…等，因此有望在将来的电子自旋器件中担 研究它的微结构特性以及磁学特性，同时利用透射 任重要角色，特别是被期望用于下一代的量子计算 光谱分析了过渡金属co离子内部d电子的吸收情况。 机中，因而DMS正在日益激发人们的兴趣。在 1 实验方法 DMS中，Mn掺杂的Ⅱ一Ⅳ和Ⅲ一V半导体材料已 经得到广泛研究，然而它们的低的居里温度 采用REBE系统沉积技术¨。。在Si衬底上生长 (Ga Mn As中发现最大的居里温度也仅仅为1 10 co掺杂的ZnO晶体薄膜。采用多晶的(ZnO)1-y K_2 )远远限制了它们在自旋电子器件中的应用。 (Co O ) 陶瓷靶作为生长材料；靶源材料是纯度为 因而对于自旋器件来说，关键的工作是研究具有室 99．99％的ZnO与c0 o4粉末按一定的比例(5，10， 温以上的DMS材料。 20 wt％)均匀混合、压制，烧结而成的，烧结时的温 随着理论发展表明宽禁带的半导体很有希望成 度均为600 oC。衬底为抛光过的Si片和石英玻璃， 为高居里温度的候选材料。ZnO作为一种Ⅱ一Ⅳ化 si片的清洗按照常规