清华大学 器件物理03.ppt

NPN晶体管的电流输运 NPN晶体管的电流转换 电子流 空穴流 2.3 NPN晶体管的几种组态 共基极 共发射极 共收集极 共基极 共发射极 共收集极 N N P 晶体管的共收集极接法 c b e 北京大学 微电子学研究所 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都是由少数的基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 半导体器件物理基础 半导体器件的发展历程 萌芽期 成长期 成熟期 衰退期 1874年 F.Braun 半导体器件的第1项研究 金属－半导体接触 1939年 Schottky 肖特基势垒 1907年 H.J.Round 发光二极管 LED 1947年 Shockley ，Bardeen, Brattain 晶体管 (transistor) 点接触式的 诺贝尔奖 1949年 Shockley p-n结 双极晶体管（BJT〕 1940 1870 1930 1950 萌芽期 第一个点接触式的晶体管 (transistor) 成为电子现代工业的基础 Ge 晶体管 获1956年诺贝尔物理奖 1957年 Kroemer 异质结双极晶体管 HBT 诺贝尔奖 1952年 Schockley 结型场效应晶体管JFET 第1个半导体场效应器件 1954年 Chapin, Fuller, Pearson 硅太阳电池，6％ 1952年Ebers 闸流管模型 thyristor 1958年 Esaki 隧道二极管 诺贝尔奖 1960 1950 进入成长期 1960年 Kahng,Atalla 增强型MOSFET 1962年 Hall, Nathan, Quist 半导体激光器 1963年Gunn 渡越电子二极管 Gunn二极管 1967年 Kahng, Sze 非挥发存储器 1966年 Mead MESFET 1965年Johnston, DeLoach, Cohen IMPATT二极管 1970 1960 1962年 Wanlass、C. T. Sah CMOS技术 1968年 Dennard 单晶体管 DRAM 第一个增强型 MOSFET 利用硅和热氧化生长的二氧化硅，其上为铝栅 沟道长度：25微米 栅氧化层：1000埃 第一块集成电路，1958， Kilby Ge 衬底上的混合集成电路，美国专利号3138743 第一块单片集成电路，1959， Noyce 1970年 Boyle, Smith CCD器件 1974年 Chang, Esaki, Tsu 共振隧道二极管 1980年 Mimura, Hiyamizu, Fujii, Nanbu MODFET 调制掺杂场效应晶体管 1980 1970 分水岭： 1970年前发明的器件全部实现商业化 1971年 Intel公司 微处理器 1980年后出 现了大量的 异质结构器件 和量子效应器件 1984年 Luryi, Katalskys, Gossard, Hendel 电荷注入晶体管 CHINT 1984年 Capasso, Kiehl 共振隧穿双极晶体管 RTBT 1985年 Yokoyama, Imamura, Muto, Hiyamizu , Nishi RHET 共振隧穿热电子晶体管 1990 1980 MOS 晶体管结构 (a) 原始的， （b) 现代的 N+（P+） N+（P+） P-（N-） Source Gate Drain N+ (P+) N+ (P+) P (N) Source Gate Drain N+(P+) a b CMOS FET 技术演变 MOS FET，1960 Poly-Si Self-Aligned Gate,1966 Ion Implant application, 1969 Silicided Poly-Si Gate, 1978 Sidewall for S/D implant, 1980 Self-aligned LDD, 1981 Salicide, S/D extension , 1982 Oxy-Nitride for gate dielectric, 1983 CMP, 1989 Damascene interconnect, 1992 Copper interconnect, 1993 N+ N+ P N+ P+ P+ N P+ Substrate 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都是由少数的基本模块构成