我们一般情况下会面对5个未知半导体器件物理学的5个方程.PDFVIP

6.012– 微电子器件和电路 解5个基本方程 ­ 9/11/03 版本 半导体器件物理学的5个方程: 我们一般情况下会面对5个未知: 并且，会有5个与上相关的方程: 针对这些方程，我们有如下假设： 和 D都是独立变量。 h 温度是常数 (恒温). (注意: De, 和 Dh 相对于温度都是独立变量). 1 这是一组5对的，非线性的微分方程，它们通常是 不可解析的。 但是，我们知道已经有三个特例。 1) 均匀半导体掺杂，热平衡： (详见下面第4页关于这个例子的讨论) 2) 漂移： g=0, 相同的半导体掺杂 (详见下面第4页关于这个例子的讨论) 3) 均匀低水平注入： (详见下面第5，6页关于这个例子的讨论) 并且，我们能针对两个非常重要的新情况找到 近似的解析的方法 1） 流问题：对均一掺杂的材料多数载流子 的非均一的注入。 (详见下面第7-10页关于这个问题的讨论) 掺杂分布问题：在热平衡的非均匀掺杂材料。 (详见下面第11-14页关于这个问题的讨论) ******** 通过对这5个方程解法的理解，我们能够对那些重 要的半导体器件进行建模和理解，包括二极管，双极型 晶体管和MOSFET管。 (看第三页的插图) 2 为什么我们这么在意呢: 理解了流问题，耗尽 近似和漂移等问题后，我们就能理解在6.012中所有 的基本器件的工作原理了。 二极管中的流问题是在两个区域中，在一个交界面 产生了耗尽近似问题： p­型 n­型 流问题 流问题 交界面问题 注意：这种情况不仅在普通的电子二极管中发生，在光发射和激光二极 管中同样存在。在光敏二极管和感光元件中也一样。 双极晶体管在三个区域存在流问题，而且在两个交界 面都存在耗尽近似问题： B 交界面问题 E n­型 p n­型 C 流问题 MOSFET管存在两个二极管，在门区有耗尽近似问题， 在沟道上存在漂移问题： G S D n+ p­型 n+ 耗近近似 二极管 漂移 3 特例: 均均掺杂，热平衡。 均一材料，热平衡：