用开路电压法测晶体硅太阳电池少子寿命的研究.PDF

第 23 卷 第 2 期 海 南 大 学 学 报 自 然 科 学 版 Vol. 23 No. 2 2005 年 6 月 NATURAL SCIENCE JOURNAL OF HAINAN UNIVERSITY Jun. 2005 　　 ( ) 文章编号 :1004 - 1729 2005 02 - 0133 - 07 用开路电压法测晶体硅太阳电池 少子寿命的研究 1 2 彭银生 , 陈庭金 ( 1. 海南医学院 信息部数理教研室 , 海南 海口 571101 ; 2. 云南师范大学 太阳能研究所 , 云南 昆明 650092) 摘 　要 : 根据太阳电池的工作原理 ,详细论述了用脉冲光源照射 n/ p 结太阳电池瞬间时, 由于光 电压, 即开路电压的建立, 将有电子从 n 区通过 n/ p 结向p 区边界注入, 这些注入 p 区的过剩电 ( ) 子 少子 在运动中复合所需的时间, 我们定义为少子寿命. 理论上给出了注入 p 区的电子复合带 ( ( ) ) ( ) 来的开路电压与寿命的关系式 Voc t , 同时也研究了 n/ p 结势垒电容放电对 Voc t 的影响. 因 ( ( ) ) 此建议使用开路电压随时间的衰减关系式 Voc t 测量少子寿命的方法. 关键词 : 太阳电池 ; 开路电压衰减法测量 ; 少子寿命 中图分类号: TK 511 　　夏献标识码 : A 半导体的少子寿命是决定太阳电池转换效率的重要参数之一. 在太阳电池的制造过程中 , 常常要经过一步或多步高温工艺 ,从而带来材料晶格损伤或引入深能级杂质 ,构成过剩余载流 子的复合中心 ,降低太阳电池过剩少数载流子的寿命。一般来讲 ,对长寿命的材料作成太阳电 池后 ,其少子寿命往往会有较大的降低[1 ] . 为此 ,检测太阳电池的少子寿命的变化 ,可为改进太 阳电池的制作工艺提供强有力的依据 , 以获得更高效率的太阳电池. 太阳电池是一种成品器件 ,对其各区少子寿命的测量比单一体材料少子寿命的测量所考虑 的因素要多一些 ,更复杂一些. 因此 ,测量太阳电池中某区域中的少子寿命 ,必须了解少子产生 的过程、少子的运动复合变化及描述这种复合变化的物理量与少子寿命的关系. 在光照太阳电 池时 , 同一区域非平衡的多数载流子亦会变化 ,其变化将影响少子物理的变化. 分析这些物理变 化和相互影响后 ,才能更准确地确定测量方法 ,获得满意的准确的测量结果. 关于半导体材料和成品器件 ,其少子寿命测量方法 , 已有较多的文献报道,如光电导衰减法 (PCD) 、双脉冲法等1) . 本文中 ,笔者以硅太阳电池为例 ,并根据其工作原理 ,介绍少子寿命测量 的理论分析和测量方法. 1 　理论分析 1. 1 　n/ p 结太阳电池在脉冲光照状态下的物理模型 　我们对如图 1 所示的太阳电池工作状 态的开路电压随时间的衰减进行了理论分析. ( ) 根据 n/ p 结太阳电池的工作原理 ,激光脉冲光 如图 2 所示 照射到太阳电池上 ,一个周期 内,太阳电池中非平衡光生载流子的分布如图 3 所示. 由此产生的能带图如图4 所示. 收稿日期 : 2004 - 06 - 14 ( ) 作者简介 : 彭银生 1976 - ,男 ,江西吉安人 ,海南医学院信息部数理教研室助教 ,硕士. ) 1