硫化锌(ZnS) 薄膜制作与研究 - 专题周记系统.PDF

專題週記五 氧化鋅 (ZnO) 、硫化鋅 (ZnS) 薄膜製作與研究 指導老師 : 施仁斌老師 組員 :陳柏穎 D0343763 羅紳銘 D0343568 顧宜哲 D0343865 報告日期 : 2017.05.31 氧化鋅製備流程 •電解液 硝酸鋅: 0.1M pH5+-0.2 • 三極式電化學架構沉積ZnO 薄膜於ITO基板上，進而藉 由 XRD(X-ray Diffraction)與FESEM(field emission scanning electron microscope)分析ZnO 材料晶相及 其薄膜微結構分析。 硫化鋅製備流程 • 沉積金屬鋅(Zn)薄膜電解液硫酸鋅與硼酸一同配製各: 均0.1M濃度，pH4.2+-0.1 •利用二極式電化學架構沉積金屬鋅 (Zn)薄膜，在與硫片 (Sulfur)放入於抽真空封置玻璃試管內，後續，將玻璃 式管置入高溫爐中進行高溫退火(annealing)動作，而 合成硫化鋅 (ZnS)薄膜。藉由XRD(X-ray Diffraction) 、FESEM(field emission scanning electron microscope)與EDS(X-ray energy dispersive spectrometer)分析ZnS 材料晶相、薄膜微 結構分析及其成分組成。 基板(ITO)清潔程序 • 在製作積體電路或微電子元件時，樣品的潔淨度是相當 重要的，些許的微小塵粒進而會大大毒化或損害元件本 身發揮性質，因此在許多製程當中需在潔淨室中進行， 也保有樣品本身的潔淨性。 對電極(Pt)清潔程序 • 在電化學沉積製程中，對電極主因提供電解槽溶液內保 持電中性之性質，顧名思義對電極在電化學實驗進行 中，不與其他化學溶液性質做反應，因此為了電化學實 驗進行中反應變數不再加以繁瑣，故清洗對電極。 氧化鋅電解液配置 • 以配置0.1M濃度硝酸鋅 (Zn(NO3)2)為例。該濃度比例 在 0.01 至1.0M內最佳沉積速率 (deposition) ，因此設 定為本研究沉積ZnO 薄膜主要出發點。利用pH meter 量測值約 5+-0.2 ，其反應式(1)~(3)所示。要沉積 ZnO 薄膜電解液不僅只有硝酸鋅研究議題，尚有國內、外學 者研究硫酸鋅 ZnSO4 、氯化鋅ZnCl2 、醋酸鋅 Zn(CH3COO)2)等。但以上電解液不易經由電化學沉積一 次呈現ZnO 材料，需要經由二次合成或在電解液添加溶 劑:如快速熱對火(Rapid thermal annealing ，R.T.A.) 或通氫或氧氣機制等，甚至在電解液內加入輔助電解液 或乙二胺 (EDA)錯合物增加薄膜附著性等，均增加實驗 執行的複雜性與成本。 • (1) Zn(NO3)2 Zn(2+) + 2NO3(-) • (2) NO3(-) + H2O + 2C(+) NO2(-) + 2OH(-) • (3) Zn(2+) + 2OH(-) ZnO + H2O 鋅(Zn)電解液配置 • 以硫酸鋅(ZnSO4)與硼酸(H3BO3)一同配製各均0.1M濃 度。其該濃度比例呈現金屬鋅 (Zn)薄膜XRD晶相優越於 國外學者 T.Mouct 。 •電解液中再加入硼酸可提高化學穩定性之外，一有防止 表面氧化等效能，而作為本研究沉積Zn 薄膜主要出發 點。 •利用 pH meter量測值約 pH4.2+-0.1 ，呈弱酸性。 THE END