硼掺杂微晶硅薄膜的椭圆偏振光谱分析-硅酸盐学报.PDF

第38 卷第10 期 胡学兵等：平均孔径与改性氧化物对α-Al O 微滤膜油水分离效率的影响 · 1905 · 2 3 第38 卷第10 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 38 ，No. 10 2 0 1 0 年 1 0 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY October ，2010 硼掺杂微晶硅薄膜的椭圆偏振光谱分析 1 1 1 1 1,2 1 李新利 ，卢景霄 ，王志永 ，谷锦华 ，李 瑞 ，杨仕娥 (1. 郑州大学物理工程学院，材料物理教育部重点实验室，郑州 450052 ；2. 河南工业大学，郑州 450051) 摘 要：采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition，RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积了硼掺杂 微晶硅薄膜。采用椭圆偏振光谱和 Raman 光谱分析了辉光功率和硼掺杂量对薄膜的晶化率、表面粗糙度、空隙率和非晶孵化层厚度的影响。结果表 明：随着输入功率的增加，薄膜表面粗糙度的变化趋势为先缓慢减小、再快速增加、然后再次减小；沉积薄膜中的体层晶化率和空隙率的变化趋势相 同，而空隙率与非晶孵化层厚度的变化趋势相反。随着初始硼掺量的增加，薄膜表面粗糙度的变化趋势为先缓慢增加、再减小、然后再增加；沉积薄 膜的体层晶化率和空隙率并没有类似的对应关系。此外，对RF-PECVD 沉积硼掺杂微晶硅的生长机理进行了分析。 关键词：硼掺杂微晶硅薄膜；椭圆偏振技术；表面粗糙度 中图分类号：O484 ；TN304 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2010)10–1905–07 BORON-DOPED MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS USING SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY ANALYSIS LI Xinli 1 1 1 1 1,2 1 ，Lu Jingxiao ，WANG Zhiyong ，GU Jinhua ，LI Rui ，YANG Shi’e (1. Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education, School of Physical Engineering and Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052; 2. Henan University of Technology, Zhengzhou 450051, China) Abstract: A boron doped microcrystalline silicon films were prepared on glass substrate by the radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) technique. The effects of the input power and the amount of doped boron on surface rough- ness,