电子技术(模拟部分)刘颖主编-4-场效应管及放大电路.ppt

四、共栅放大电路 S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id Id=gmUgs+Uds/rds Uds=Uo-Ui Uo= -IdRD Ugs= -Ui Id= -gmUi+(- IdRD -Ui)/rds ri ri 当rdsRD时， S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id ri ri AU≈ gmRD rdsR‘D，gmrds1 输入电阻 ≈1/gm， ri≈Rs//1/gm 电压增益 AU≈ gmRD 输入电阻 ri≈1/gm ri≈Rs//1/gm S G D rds gmUgs 输出电阻 ro ro=rds ro=rds//RD≈ RD 电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输入电压同相。 组态 AUs ri’ ro’ 输入与输出电压关系 共源 高 高 较高 反相 共漏 低 高 低 同相 共栅 高 低 较高 同相 五、 场效应管放大电路性能比较 小 结 场效应管放大电路主要有共源、共栅和共漏三种基本组态放大器。 静态偏置电路主要有自给偏置电路和外置偏置电路两种。自给偏置电路适用于结型和耗尽型场效应管。而对增强型场效应管只能采用外置偏置电路。 静态分析可采用计算法和图解法。 动态分析与三极管基本相似，主要采用微变等效电路法进行分析。 第四章结束 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线小结 MOS F ET N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 uGS uGS iD iD iD iD iD iD uDS -uDS MOS F ET N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线小结（续） uGS uGS uDS -uDS NMOS管—uBS加一负压 PMOS管—uBS加一正压 集成电路中多个MOS管衬底的处理原则：所有衬底接在一起；保证两个PN结反偏。 处理方法： 在uGS和uGS不变、uBS微变时，同样会导致漏极电流的微变，衬底跨导定义为 衬底效应 ： 3.衬底效应 四、效应管的主要参数及特点 1.直流参数 (2)饱和漏极电流IDSS 耗尽型MOSFET、JFET，当uGS=0时所对应的漏极电流。 (1)阈值电压（称为开启电压、夹断电压) 增强型MOSFET阈值电压：开启电压UGS,th ； 耗尽型MOSFET和JFET阈值电压：夹断电压UGS,off 。 (3)直流输入电阻RGS 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比。结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅场效应三极管RGS约是109～1015Ω。 (1) 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 gm的求法: ① 图解法：gm实际就是转移特性曲线 i D=f(uGS) 的斜率 ②解析法：如增强型MOS管存在 iD=k(uGS-UGS,th)2 2. 交流参数 gm与 iD成正比关系。 重要！ (2) 衬底跨导gmb 反映了衬底偏置电压对漏极电流ID的控制作用 跨导比 2. 交流参数 3. 动态漏极电阻rds 反映了uDS对iD的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率。一般是几十～几百千欧姆。 2. 交流参数 4. 极间电容 Cgs—栅极与源极间电容，约1～3PF Cgd —栅极与漏极间电容，约1～3PF Csd —源极与漏极间电容，约0.1～1PF Cgb —栅极与衬底间电容Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容 主要的极间电容有： 交流参数 (2)漏源击穿电压UDS,B (或用符号BUDS 表示） 使ID开始剧增时的UDS。 栅源击穿电压UGS ,B (或用符号BUGS表示） JFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压。 MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压。 3. 极限参数 (1)最大漏极电流IDM 管子正常工作时漏极电流的上限值。 (3)最大耗散功率PDM PD=iDuDS 应用：根据IDM 、PDM、 UDS,B可以确定管子的安全工作区。 场效应管与晶体管的相比，具有以下特点： 1. 电压控制元件，电流iD受电压uGS的控制； 2. 是单级型器件，温度特性好，抗辐射能力强； 3. 输入电阻高，可达109~1014?； 4. 面积、功耗小，便于集成。； 5. 不同类型的FET对偏压的要求不同； 6. 跨导gm较低； 7. 存在背栅效应（即衬底调宽效应），衬底与沟道的PN结反偏。 8. 工艺一致性较差，工作频率偏低、低频噪声较大等。 五、场效应管与双极结型三极管（BJT）的比较 4.2 场效应管放大