第10章 IC工艺薄膜化学汽相淀积(CVD)技术概.pptVIP

2）SIPOS膜的生长工艺 LPCVD：SiH4—Si+2H2 600~650°C分解 a）工艺难点： 纯度的保证—高阻半绝缘性~106 ?cm 膜的均匀致密 b）生长时适当加入一定浓度的氧（~15%），形成的O-SIPOS膜的电阻率可提高（ ~108 ?cm） c）掺入氮（N-SIPOS）可提高抗金属离子和水汽的浸蚀 d）SIPOS膜的表面通常覆盖一层SiO2膜 e）加入PH4、AsH4和BH4等可生长出高电导的掺杂多晶硅 3）掺杂多晶硅在器件中的作用 a）MOS栅的自对准工艺 b）MOS感应栅—可读写和闪存器件 10.3.5. 金属材料CVD 金属膜的生长以物理溅射为基本方法，但由于其方向性，使其台阶覆盖能力不好；合金膜和硅化物的组成配比较难控制。 1）金属硅化物的CVD 如LPCVD：2WF6+SiH4—2WSix+3SiF4+14H2 6TiCl4+NH3—6TiN+24HCl+N2 Dep-Etch-Dep Process Film deposited with PECVD creates pinch-off at the entrance to a gap resulting in a void in the gap fill. Key-hole defect Bread-loaf effect Metal SiO2 The solution begins here 1) Ion-induced deposition of film precursors 2) Argon ions sputter-etch excess film at gap entrance resulting in a beveled appearance in the film. 3) Etched material is redeposited. The process is repeated resulting in an equal “bottom-up” profile. Cap 2）金属膜的CVD a）钨 钨插塞：多层金属布线间的互连 覆盖能力强、内应力小、附着力好 工艺： （阅读） b）铝 Al[C4H9]3—TIBA 250C°分解 [CH3]2C2H5N:[AlH3]—DMEAA 200C°分解 High Aspect Ratio Gap Photograph courtesy of Integrated Circuit Engineering 10.3.5. 光学与光电子学薄膜 薄膜生长小结 半导体器件制造中的薄膜主要有 a) 外延层薄膜（主要用CVD技术生长，新技术有MOCVD和MBE等，某些材料需要用液相外延，替代技术有注氧隔离，直接键合等） b）金属与合金薄膜（主要用蒸发和溅射两种物理方法，某些金属用CVD和电化学方法） c）介质材料薄膜和多晶硅薄膜（主要用CVD技术生长） 2）薄膜材料生长的基本技术与原理 a) 物理方法（蒸发和溅射的基本原理，技术特点和工艺特点，主要的工艺控制条件，衬底加热的工艺作用，后快速热处理的工艺作用，MBE是一种高精度蒸发技术） b）CVD技术（CVD的基本原理，技术特点和工艺特点，主要的工艺控制条件，源材料的选择，外延是一种特殊的CVD薄膜） c）“过度层”薄膜的作用 d）台阶覆盖与工艺 3）几种重要的薄膜材料 a) Al（电子束蒸发，光刻，合金，电迁移现象及改善） b）了解Cu工艺的优点和工艺难点 （工艺条件对M/S接触的影响） c）硅外延层（器件中的作用，几种常用的工艺和反应源及其工艺特点，掺杂，自掺杂及解决方案） d）a-Si（多晶硅）、PSG（BPSG）、SiN、TiSi2、W等的器件功能 e）上述材料的评价参数和测量方法（注意结合该薄膜在器件中的具体角色） 第十章 薄膜化学汽相淀积（CVD）技术 10.1. 化学汽相淀积（CVD）原理 10.1.1. 薄膜生长的基本过程(与外延相似) 外延是一特殊的薄膜生长 1)参加反应的气体混合物被输运到沉积区 2)反应物分子由主气流扩散到衬底表面 3)反应物分子吸附在衬底表面 4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间 发生化学反应，生成化学反应产物和副产物，并沉积在衬底表面（或原子迁移到晶格位置） 5）反应副产物分子从衬底表面解吸 6）副产物分子由衬底表面外扩散到主气流 中，然后排出沉积区 10.1.2. Grove模型 和质量附面层模型 Grove模型 : F1=hG(CG-CS) F2=kSCS G=F/?m =[kShG/(kS