西安电子科技大学微电子学院概述化学气相淀积:cvd——chemical .ppt

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西安电子科技大学微电子学院概述化学气相淀积:cvd——chemical

第六章 化学气相淀积 主 讲:毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 概述 化学气相淀积:CVD——Chemical Vapour Deposition。 定义:一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬 底发生化学反应,并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如: 热分解SiH4, SiH4 = Si(多晶)+2H2(g) , SiH4+O2 = SiO2 (薄膜)+2H2 CVD薄膜:SiO2、Si3N4、PSG、BSG(绝缘介质)、 多晶硅、金属(互连线/接触孔/电极)、 单晶硅(外延) CVD系统:常压CVD(APCVD) 低压CVD(LPCVD) 等离子CVD(PECVD) 概述 CVD工艺的特点 1、CVD工艺的温度低,可减轻硅片的热形变,抑制缺 陷的生成,减轻杂质的再分布,适于制造浅结器件及 VLSI; 2、薄膜的成分精确可控、配比范围大,重复性好; 3、淀积速率一般高于物理淀积,厚度范围大; 4、膜的结构完整致密,与衬底粘附好,台阶覆盖性好。 6.1 CVD模型 6.1.1 CVD的基本过程 ①传输:反应剂从气相(平流主气流区)经附面层(边界层) 扩散到(Si)表面; ②吸附:反应剂吸附在表面; ③化学反应:在表面进行化学反应,生成薄膜分子及副产 物; ④淀积:薄膜分子在表面淀积成薄膜; ⑤脱吸:副产物脱离吸附; ⑥逸出:脱吸的副产物和未反应的反应剂从表面扩散到气 相(主气流区),逸出反应室。 CVD 传输和反应步骤图 6.1 CVD模型 6.1.2 边界层理论 CVD气体的特性:平均自由程远小于反应室尺寸,具有黏滞 性; 平流层:主气流层,流速Um 均一; 边界层(附面层、滞留层):流速受到扰动的气流层; 泊松流(Poisseulle Flow):沿主气流方向(平行Si表面)没有 速度梯度,沿垂直Si表面存在速度梯度的流体; 6.1 CVD模型 6.1.2 边界层理论 边界层厚度δ(x)(流速小于0.99 Um 的区域): δ(x)=(μx/ρU)1/2 μ-气体黏滞系数,x-距基座边界的距离, ρ-气体密度,U-边界层流速; 平均厚度 Re= ρUL /μ,称为雷诺数(无量纲),表示流体惯性力与黏滞力之比 雷诺数取值:2000,平流型;商业CVD:50-100; 2000,湍流型(要尽量防止)。 6.1.3 Grove模型 6.1 CVD模型 6.1.3 Grove模型 ①假定边界层中反应剂的浓度梯度为线性近似,则 流密度为: F1=hg(Cg-Cs) hG-气相质量转移系数, Cg-主气流中反应剂浓度, CS-衬底表面处反应剂浓度; ②表面的化学反应淀积薄膜的速率正比于Cs,则 流密度为: F2=ksCs ③平衡状态下,F1=F2 (= F),则 Cs = Cg/(1+ks/hg) 6.1.3 Grove模型 Cs = Cg/(1+ks/hg) ④两种极限: a. hg ks时, Cs → Cg , 反应控制; b. hg ks时, Cs → 0, 扩散控制; 6.1 CVD模型 ⑤薄膜淀积速率G的一般表达式 设形成一个单位体积薄膜所需的原子数为N1,(Si:N1=5x1022cm-3),则稳态下(平衡状态),由 F=F1=F2 ,F2=ksCs 及Cs = Cg/(1+ks/hg),得 G=F/N1=F2/N1=[kshg/(ks+hg)](Cg/N1) 其中,Cg=YCT,(多数CVD过程,反应剂被惰气稀释) Y-反应剂的摩尔百分比

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