第4章 贴片场效应管及其放大器.ppt

第4章 场效应管及其放大电路 通过这一章的学习，我们要学会： 1．利用场效应管来实现信号放大； 2．判断场效应管的管脚； 3．根据电路的需求来选择放大器件。 4.1 概述 场效应管有三个电极，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极） 。并且掌握几个重要概念。 场效应管是仅靠半导体中的空穴或自由电子之一来导电的，它又被称为单极性晶极管。 场效应管分为结型场效应管（Junction field effect transistor,简称JFET）和绝缘栅型场效应管（Insulated gate field effect transistor，简称IGFET）两大类 。 绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两类。不论结型还是绝缘栅型场效应管，它们又可分为N沟道和 P沟道两种。 4.2 结型场效应管 4.2.1 结型场效应管的工作特性 （2）漏源电压uDS的大小对导电沟道产生的影响 如uDS=0，则不管uGS为何值，都无法产生iD。所以只有将uDS与uGS一起来控制导电沟道的宽窄。 1．结型场效应管的特性曲线 输出特性可分成四个区域: （1）可变电阻区： uDS固定＜5V时， uGS＜ uGS（off） 的绝对值区域。 （2）恒流区（放大区）： uDS ＞ uGS（off） ＝5V 时， iD不变。 （3）击穿区： uDS 很大， iD也很大。 （4）夹断区：uGS≤ uGS（off）， iD＝0 （5）预夹断区： uGS＝ uGS（off） 预夹断电压：uGS＝ uGS（off）表示沟道刚好接近消失的电压。 注意：（1）预夹断前： uGD＞ uGS（off） 即uGS－ uDS ＞ uGS（off） （2）预夹断时： uGS＝ uGS（off）即uGS－ uDS ＝ uGS（off） （3）预夹断后： uGD＜ uGS（off）即uGS－ uDS ＜ uGS（off） （4）夹断时： uGS≤ uGS（off）， iD＝0 2．转移特性 漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系 4.2.2 结型场效应管的测试 1．结型场效应管的管脚识别 2．判定管的沟道类型 3．估测场效应管的放大能力 4.3 绝缘栅型场效应管 4.3.1绝缘栅型场效应管的工作特性 工作原理 （以N型沟道绝缘栅增强型场效应管 为例） 当uGS＝0,即使uDS0 ，由于未形成导电的N型反型层（导电沟道），源漏极间也不会有电流流过.ID＝0. 当uDS0 时，uGS0，且不断增大时,此时ID的大小由uGS决定 ;随着uGS的增大，当uGS= UGS(th) 时 ,即iD仅由uGS决定，管子就进入恒流区。 绝缘栅增强型场效应管工作时，漏极D和源极S之间要有正电压，即uDS0；栅源电压也必须为正，即uGS UGS(th) 。 增强型：随uGS的增强，导电沟道横截面增大，导电能力增强，在一定的uDS 条件下，电流ID越大 耗尽型：在siO2层中掺入了大量的正离子，使得 uGS＝0时，就有垂直电场的存在，并吸引电子到半导体的表面形成N型导电沟道。在这种管子电路中， uGS0,导电沟道被削弱，直至完全不存在，即被“耗尽”。当然，也可以uGS0,N沟道会更强。 【例4.2】 两种场效应管的转移特性曲线分别如图 4.6(a)、(b)所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 解：（1）从图4.6（a）图曲线可以读出，开启电压UGS（th）＝ - 2V，因此是P沟道增强型MOS管的转移特性曲线。平均跨导： （2）从图4.6（b）图曲线可以读出，夹断电压UGS（off）＝ -4V，IDSS=4mA，UGS可以工作在正值、零、负值，因此是N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线。平均跨导： 4.3.2 VMOS管 VMOS管的结构可以解决普通MOS管无法散发出较多的热量的问题。 4.3.3 绝缘栅型场效应管的测试 测试时，最好采用专门测试仪进行测量。如果必须采用手工方式用万用表来测试，一定要充分做好防静电措施。 1．测试注意事项 2．判定电极及类型 （1）首先判定栅极 （2）判定管子类型及区分漏极与源极 4.4 场效应管的应用 4．4．1场效应管的主要参数及使用注意事项 1、主要参数 （1）直流参数：开启电压UGS（th）(增强型mos） 、夹断电压UGS（off）（结型和耗尽型mos）、饱和漏极电流IDSS（结型） 、直流输入电阻RGS（DC） （2）交流参数：跨导gm