第5章 立方氮化硼.pptVIP

第5章 立方氮化硼(CBN)的合成 5.2 CBN薄膜性质及制备技术(略) 5.3.1 微晶CBN 1.微晶的性能(与单晶相比)： 2.CBN微晶的制造 Two ways 5.3.2 CBN聚晶 CBN圆柱状聚晶： 制备工艺流程： CBN复合片的制造： * * 超硬材料与硬质合金 立方氮化硼(cubic boron nitride) 立方结构的氮化硼,分子式为BN,其晶体结构类似金刚石,硬度略低于金刚石，为HV72000-98000兆帕,常用作磨料和刀具材料。1957年,美国的R.H.温托夫首先研制成立方氮化硼。 立方氮化硼晶胞 立方氮化硼是由六方氮化硼和触媒在高温高压下合成的，是继人造金刚石问世后出现的又一种新型高新技术产品。它具有很高的硬度、热稳定性和化学惰性，以及良好的透红外形和较宽的禁带宽度等优异性能，它的硬度仅次于金钢石，但热稳定性远高于金钢石，对铁系金属元素有较大的化学稳定性。 立方氮化硼有单晶体和多晶烧结体两种。单晶体是把六方氮化硼和触媒在压力为3000-8000兆帕、温度为800-1900℃ 范围内制得。典型的触媒材料选自碱金属、碱土金属、锡、铅、锑和它们的氮化物。立方氮化硼的晶形有四面体的截锥、八面体、歪晶和双晶等。 立方氮化硼多晶烧结体的主要制法有：①用立方氮化硼微粉和少量结合剂(如钴、铝、钛和氮化钛等)，在压力4000-8000兆帕、温度为1300-1900℃下烧结而成；②以立方氮化硼微粉和结合剂为一层，以硬质合金（片或粉）为一层，在上述压力、温度下把两者烧结在一起，制得带硬质合金衬底的多晶烧结体。 立方氮化硼的晶形示意图 立方氮化硼的合成方法 静态高温高压法：静态高温高压催化剂法、静态高温高压 下直接转变法。晶种温度梯度法； 冲击压缩法：爆炸法、直接转变六方氮化硼法； 亚稳区域生长法：气相法、常压高温合成法。 5.1 静态高温高压催化剂法合成立方氮化硼 5.1.1 基本原理 1. 六方氮化硼与立方氮化硼平衡曲线(略) 2. 六方氮化硼与立方氮化硼结构转变 5.1.2 原料要求和处理方法 主要原料：六方氮化硼、催化剂(降低合成温度和压力)、 叶腊石(传压密封介质) 1. 六方氮化硼的制备 原理及方法 合成方法大致有固相法和气相法(主要用于制备HBN粉末、 薄膜或涂层)。固相法主要有： 化合或还原-化合法 高温自蔓延合成法 硼砂-氯化铵法 硼砂-尿素法 硼酸-磷酸三钙法 六方氮化硼工业生产的工艺流程 硼 酸 磷酸钙 烧结物 加入NH4Cl 氮 化 BN+CaO BN 氮化硼粉 煅烧 粉碎 过筛 干燥 加HCl 通NH3 1273K 制备工艺对六方氮化硼质量的影响 原料的影响 无论选用哪种原料，其统纯度必须在99%以上，重金属含量必须少于10ppm。在立方氮化硼合成过程中，重金属作为夹杂相残留于晶面，使晶体无法长大，并使其强度降低。要除去原料中的重属杂质，须采用重结晶和化学沉淀方法处理。 合成六方氮化硼的硼源，主要有硼砂和硼酸两种，若合成陶瓷用六方氮化硼，采用硼砂较生成较高纯度的六方氮化硼。  制备六方氮化硼的氮源有氯化铵、尿素氨和氮气等，近年来也有用双氰氨和三聚氰氨的。用一次通氨法生产陶瓷用产方氮化硼时，选用氯化铵为原料；因为尿素提纯比较容易，所以在制作高纯度的六主氮化硼时，采用尿素为原料。在氮化过程中通的氨或氮气(即氮源)，生产条件较差的厂家可采用通氨的方法，因为通氨比通氮的反应温度可降低373-473K。需要指出的地，氨在通常情况下含有微量水，氮气在通常情况下含有少量氧，这都会影响产品的纯度，所以在使用时，都必须经过提纯。 反应温度的影响 制备六方氮化硼的温度条件并不高，一般都是在低于1473K的温度下进行，这样得到的六方氮化硼纯度不高。要制取高纯度的六方氮化硼，需要在高温下进一步处理。有采用两段温度反应的，也有用三段温度反应的。  生产一般陶瓷用六方氮化硼用一次通氨法，温度在1173-1373K就可满足要求。因为热压成型时，较高化学活性的六方氮化硼易成型，在成型后再经高温处理，可获得质量陶瓷制品。 　 用于合成方氮化硼的六方氮化硼要在高温下氮化以提高其纯度、结晶程度和三维有序化程度。在高温下氮化，半成品中的三氧化二硼含量一定要低，否则在高温下熔融的三氧化二硼聚集形成包合体，阻碍反应进行。所以，较好的方法是在稍低的温度下氮化，除去半成品中较多的三氧化二硼，再通过高温氮化提高六方氮化硼的结晶度。但提高温度往往受到各种条件的限制，给批量生产带来很大麻