第9.1__热释电探测原理.pptVIP

第九章 热释电器件 9.1.2. 热释电器件的特性分析 热释电器件的噪声 3.温度噪声 响应时间 * 热释电器件是一种利用热释电效应制成的热探测器件。 与其它热探测器相比，热释电器件具有以下优点： ①　具有较宽的频率响应，工作频率接近兆赫兹，远远超过其它热探测器的工作频率。一般热探测器的时间常数典型值在1~0.01s范围内，而热释电器件的有效时间常数可低达10-4 ~ 3×10-5 s； ②　热释电器件的探测率高，在热探测器中只有气动探测器的D*才比热释电器件稍高，且这一差距正在不断减小； ③　热释电器件可以有大面积均匀的敏感面，而且工作时可以不外加接偏置电压； ④　与热敏电阻相比，它受环境温度变化的影响更小； ⑤ 热释电器件的强度和可靠性比其它多数热探测器都要好，且制造比较容易。 9.1.1热释电效应 电介质内部没有自由载流子，没有导电能力。但是，它也是由带电的粒子（价电子和原子核）构成的，在外加电场的情况下，带电粒子也要受到电场力的作用，使其运动发生变化。 极化现象: 如图所示,电介质的上下两侧加上电场后，电介质产生极化。 一般电介质，在电场除去后极化状态随即消失，带电粒子又恢复原来状态。 “铁电体”电介质：在外加电场除去后仍保持着极化状态，称其为“自发极化”。 铁电体的自发极化强度PS与温度的关系如图所示，随着温度的升高，极化强度减低。当温度升高到一定值，自发极化突然消失，这个温度常被称为“居里温度”或“居里点”。 在居里点以下，极化强度PS是温度T的函数。利用这一关系制造的热敏探测器称为热释电器件。 热释电效应：当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时，引起薄片温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。 释放的电荷可用放大器转变成电压输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电压信号输出。因此，热释电器件在恒定辐射作用下输出的信号电压为零。只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 经过单畴化的热释电晶体，在垂直于极化方向的表面上，将由表面层的电偶极子构成相应的静电束缚电荷。面束缚电荷密度σ与自发极化强度Ps之间的关系可由下式确定。 因为自发极化强度是单位体积内的电矩矢量之和，所以有 (9－1) 式中，A和L分别是晶体的表面积和厚度。 由内部自由电荷中和表面束缚电荷的时间常数为τ＝ερ，ε和ρ分别为晶体的介电常数和电阻率。 只要使热释电晶体的温度在面束缚电荷被中和掉之前因吸收辐射而发生变化，晶体的自发极化强度PS就会随温度T的变化而变化，相应的束缚电荷面密度σ也随之变化。 注意：当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时，引起薄片温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷可用放大器转变成电压输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电压信号输出。因此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射作用的情况下输出的信号电压为零。只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 设晶体的自发极化矢量为Ps，Ps的方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重迭面积为A。由此引起表面上的束缚极化电荷为 Q = Aσ=APs 若辐射引起的晶体温度变化为ΔT，则相应的束缚电荷变化为 ΔQ =A(ΔPs/ΔT)ΔT =? Ad pΔT 式中，称为热释电系数， p = ΔPs/ΔT (9-2) 其单位为C/cm2?K，是与材料本身的特性有关的物理量，表示自发极化强度随温度的变化率。 若在晶体的两个相对的极板上敷上电极，在两极间接上负载RL，则负载上就有电流通过。由于温度变化在负载上产生的电流可以表示为 式中， 为热释电晶体的温度变化速率。与材料的吸收率和热容有关，吸收率大，热容小， 则温度变化率大。 通常热释电器件的电极按照性能的不同要求做成如图所示的面电极和边电极两种结构。 （a）面电极结构中，电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 电极面积较大，极间距离较小，极间电容较大，故其不适于高速应用。此外，由于辐射要通过电极层才能到达晶体，所以电极对于待测的辐射波段必须透明。 （b）的边电极结构中，电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，极间电容较小。因此，在高速运用时以边电极为宜。 热释电器件产生的热释电电流在负载电阻RL上产生的电压为 可见，热释电器件的电压响应正比于热释电系数和温度的变化速率dT/dt，而与晶体和入射辐射达到平衡的