光伏探测器的工作模式.pptVIP

2.4 光伏探测器 利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏器件，也称结型光电器件。 这类器件品种很多，其中包括各种 光电池、 光电二极管、 光电晶体管、 光电场效应管、PIN管、 雪崩光电二极管、 光可控硅、 阵列式光电器件、 象限式光电器件、 位置敏感探测器（PSD） 光电耦合器件等。 和光电导探测器不同，光伏探测器的工作特性要复杂一些。通常有光电池和光电二极管之分，也就是说，光伏探测器有着不同的工作模式。因此在具体讨论光伏探测器的工作特性之前，首先我们必须弄清楚它的工作模式问题。 2.4.1 光电转换原理 为了便于理解在后面将要引入的光伏探测器的等效电路，我们先讨论一下光伏探测器的光电转换规律是十分必要的。 PN结光伏探测器的典型结构如图所示。 为了说明光功率转换成光电流的关系， 我们设想光伏探测器两端被短路， 并用一理想电流表记录光照下 流过回路的电流，这个电流常常 称为短路光电流。 PN结光伏探测器的作用原理如图所示： 假定光生电子-空穴对在结的结区，即耗尽区内产生。由于内电场作用，电子从n区向p区漂移运动，被内电场分离的电子和空穴就在外回路中形成电流。 就光电流形成的过程而言，光伏探测器和光电导探测器有十分类似的情况。 可以证明：在光伏情况下一个光生电子—空穴对对外回路所贡献的总电荷量： 光伏探测器的内电流增益等于1。 光伏探测器光电转换关系为 这是和光电导探测器明显不同的地方。 2.4.2 光伏探测器的工作模式 现在我们可以说，一个PN结光伏探测器就等效为一个普通二极管和一个恒流源(光电流源)的并联，如图 (b)所示。 它的工作模式则由外偏压回路决定。 在零偏压时(图 (c))，称为光伏工作模式。 当外回路采用反偏压V时(图 (d))，即外加P端为负n端为正的电压时，称为光导工作模式。 我们知道，普通二极管的伏安特性为 因此，光伏探测器的总伏安特性应为 和 之和，考虑到二者的流动方向，我们有： 式中i是流过探测器的总电流，e是电子电荷，u是探测器两端电压，KB是玻耳兹曼常数，T是器件的绝对温度。 把上式中i和u为纵横坐标作成曲线，就是光伏探测器的伏安特性曲线。 光伏探测器的伏安特性曲线如图所示。 从图可见，第一象限是正偏压状态，id本来就很大，所以光电流不起重要作用。作为光电探测器，工作在这一区域没有意义。 第三象限里，是反偏压状态。 这时id=iSO，它是普通 二极管中的反向饱和电流， 现在称为暗电流(对应于 光功率P=0)，数值很小， 这时的光电流(等于i-iSO) 是流过探测器的主要电流， 这对应于光导工作模式。 通常把光导工作模式的光伏探测器称为光电二极管，因为它的外回路特性与光电导探测器十分相似。 在第四象限中，外偏压为零。 流过探测器的电流仍为反向光电流，随着光功率的不同，出现明显的非线性。 这时探测器的输出是通过负载电阻RL上的电压或流过RL上的电流来体现，因此，称为光伏工作模式。通常把光伏工作模式的光伏探测器称为光电池。 应特别注意，光电流总是反向电流，而光电流在RL上的电压降，对探测器产生正向偏置称为自偏压，当然要产生正向电流。最终两个电流抵消，伏安曲线中止于横轴上。 2.4.3 光电池 光电池的基本结构就是一个PN结。 按材料分，有硅、硒、硫化镉、砷化镓和无定型材料的光电池等。按结构分，有同质结和异质结光电池等。 光电池中最典型的是同质结硅光电池。 国产同质结硅光电池因衬底材料导电类型不同而分成2CR系列和2DR系列两种。 2CR系列硅光电池是以N型硅为衬底，P型硅为受光面的光电池。受光面上的电极称为前极或上电极，为了减少遮光，前极多作成梳状。衬底方面的电极称为后极或下电极。为了减少反射光，增加透射光，一般都在受光面上涂有SiO2或MgF2，Si3N4，SiO2－MgF2等材料的防反射膜，同时也可以起到防潮，防腐蚀的保护作用。 硅光电池结构示意如图 硅光电池 光电池在光照下能够产生光生电势，光电流实际流动方向为，从P端流出，经过外电路，流入N端，光生电势与照度是对数关系。 当光电池短路时，短路电流Isc与照度E成线性关系，S＝Isc/E称为灵敏度。 在一定的照度下，V-A曲线在横轴的截距，代表该照度下的开路电压Uoc。曲线在纵轴的截距，代表该照度下的短路电流Isc。硅光电池的Uoc一般为0.45～0.6V，最大不超过0.756v，因为它不能大于PN结热平衡时的接触电势差。 硅单晶光电池短路电流为35～40mA/cm2。 2.4.4 光电二极管 光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结。 它和光电池相比，重要的不同点是结面积小，因此它