第五章.光电子发射探测器.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 特点 ①前所未有的高灵敏度； ②长波极限到红外。 ２．工作原理 以Si-Cs2O光电阴极材料为例: 基底Ｐ型Si材料→表面涂Cs → Cs2O →表面形成耗尽层→ 耗尽层电位下降Ed→能级弯曲. 对于Ｐ型Ｓi半导体，发射阈值:　 形成P-N结合能级弯曲后，P型Si的光电子需克服的有效亲和 势为： (基准 ) 亲和势为负值，说明只要光电子突破禁带，就能发射光电子. 详见图3-8: 3.特点 ⑴量子效率高： 负电子亲和势光电阴极的逸出深度:数微米. 普遍多碱阴极的逸出深度:几十纳米. ⑵光谱响应延伸到红外，光谱响应率均匀 什么叫长波限？ 光子的最小能量必须大于光电发射阈值或 功函数，否则电子就不会逸出物质表面， 这个最小能量对应的波长称为阈值波长 (长波限). (禁带能级）（禁带+亲和势） 对于正电子亲和势光电阴极：阈值波长： 对于负电子亲和势光电阴极：阈值波长： GaAs光电阴极 ：为1.4eV ：约为890nm。 ⑶热电子发射小： 负电子亲和势材料本身的禁带宽度一般比较宽，如果没有强 电场作用，热电子发射小 。10-16A/cm2 ⑷光电子能量集中 光→光电阴极→光电子入导带→热化到导带底→发射 由于发射的光电子的能量基本上是导带底的能量 ∴ 能量集中。 对提高光电成像器件的空间分辨率和时间分辨率很有意义。 §3-3光电倍增管 定义：是一种建立在光电子发射效应，二次电子发 射和电子光学理论基础上的，把微弱入射光转换成 光电子并获得倍增的重要的真空光电发射器件。 一、光电倍增管的工作原理 如图3-10所示 1.K：光电阴极 D：聚焦极 光电聚焦系统：电子会聚 成束，并通过膜孔打到第 一倍增极D1上。 2.D1～D10:倍增极（打拿极） 所加电压逐级增加（每极约为80～150V） 形成二次电子发射。 3. a:收集电子的阴极。 二、光电倍增管结构 对结构的要求： 1.使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到D1 →提高信噪比。 2.使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间→增加快速响应性。 电子光学系统结构：见图3-11： (a),(b),(c)。 光电倍增极： 非聚焦型：百叶窗式、 盒一网式。 聚焦型： 直列聚焦式、圆形鼠笼聚焦式。 三、光电倍增管的基本特性参数 1.灵敏度和光谱响应度 阴极灵敏度： 阳极灵敏度： 讨论： ⑴ 值由光电阴极材料决定。 ⑵光电倍增管光谱响应度与光电阴极光谱响应度曲线相同。 光电阴极的光谱响应度： 量子效率： ⑶光电阴极的电流光谱响应度： :光电倍增管的放大倍数 4.积分光谱响应度: 阳极积分电流响应度为： 2.放电倍数（电流增益） 定义：在一定的电压下，光电倍增管的阳极电流和阴极电流 之比，也即一定电压下阳极响应度和阴极响应度的比值。 当电极间电压为80～150V，倍增极的倍增系数　　　　时， G近似为： 其中：f：第一倍增极对阴极发射电子的收集率。 g: 倍增极间的传递效率：聚焦结构g＝1，非聚焦结构g1。 n：倍增极的个数。 若阴极和倍增极发射的电子全部被收集 则　　　　　当n=9～14时，Ｇ为：105～108 3.暗电流 无光照射时，光电倍增管的输出电流为暗电流。对测量缓慢 变化的信号不利，一般为：10-8～10-9A 相当于入射光通量 10-10～10-13lm ⑴影响因素： ①光电阴极和第一倍增极的热电子发射； ②极间漏电流：由于极间绝缘不够或灰尘放电； ③离子和光的反馈作用：真空不足，残余气体碰撞电离； ④场致发射：电极的尖角在高压下放电； ⑤放射性同位素和宇宙射线的影响。 ⑵减小暗电流的方法： ①选择合适的极间电压； ②在阳极回路中加上与暗电流相反的直流成分来补偿； ③在倍增输出电路中加以选频或锁相放大滤掉暗电流； ④利用冷却法减小热电子发射。 4.伏安特性： 阴极伏安特性：入射光照E一定时，IK阴极发射电流与阴极 和第一倍增极之间的电压的关系，如图3-14。 阳极伏安特性：E一定时， Ia与最后一级倍增极之间的电压 Va的关系，如图3-15。 感兴趣的是阳极伏安特性， 可以看作恒流源。 5.输出信号和等效电路 ⑴图