s突发模式激光驱动器设计.pdfVIP

第41卷第5期 东 南大 学 学报 (自然科学版) Vo1．41 No．5 2011年 9月 JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY (NaturalScienceEdition) Sept．2011 doi：10．3969／j．issn．1001—0505．2011．05．004 应用于对等速率 10G-EPON的 10Gbit／s突发模式 激光驱动器设计 林 叶 王 健 朱 恩 顾皋蔚 刘文松 (东南大学射频与光电集成电路研究所 ，南京 210096) (中国科学院自动化研究所，北京 100190) 摘要：针对 IEEE802．3av标准所定义的对等速率万兆以太无源光网络(10G—EPON)ONU相关 应用，设计了一种 10Gbit／s突发模式激光驱动器芯片，并对调制电路和偏置 电路的设计进行了 改进 ，以实现较短的突发开启／关断转换时间．本设计采用低成本的0．18txmCMOS工艺进行流 片，整个芯片面积为575 m×675txm．测试表明：该芯片可工作在 10．3125Gbit／s的速率上；当 电源电压为 1．8V时，可对50Q负载提供高达 36mA的调制电流．突发开启／关断转换时间均 小于0．2as，远低于IEEE802．3av标准所规定的上限．该突发模式激光驱动器的输出满足 10G． EPON时序参数 的规定，适用于 10G—EPONONU相关应用． 关键词：万兆以太无源光网络(10G—EPON)；激光驱动器；突发模式；IEEE802．3av；CMOS 中图分类号 ：TN911 文献标志码 ：A 文章编号：1001—0505(2011)05-0911-06 1OGbit／sburst．modelaserdiodedriver forsymmetric-rate10G-EPON applications Lin Ye W angJian ZhuEn GuGaowei LiuW ensong (InstituteofRF—andOE-ICs，SoutheastUniversity，Nnajing210096，China) (InstiutteofAutomation，ChineseAcademyofSciences，Beijing100190，China) Abstract：A 10Gbit／sburst—modelaserdiodedriveriSdesigned．whichiSoptimizedforsymmetric— rate10G—EPONopticalnetworkunit(ONU)applicationsdescribedintheIEEE802．3avstandard． Several improvementsraeimplementedinthedesignofhtemodulationcircuitandhtebiascircuit．in orderto shorten the burstturn—on／一off delays． ItiSdesigned with a low—cost0．18 LLm CM0S process．ThedimensionofhtelaserdiodedriverIC iS575 m X675LLm ．On—chiptestshowshtatit hasaspeedof10．3125Gbit／s，nadiSabletoprovideupto36mA modulationcurrenton50Q load undera1．8V powersupply．Th eburstturn—on／一off delaysraebothlesshtan0．2as whichiSmuch