微电子技术（周雪峰）BJT.pdfVIP

上上一讲知识回顾讲知识回顾 ppn结有关的概念结有关的概念： 耗尽区、中性区；耗尽区宽度W ；接触电势差Vbi ； 接触势垒接触势垒qVqVbi ；；突变结突变结、线性缓变结等线性缓变结等。 平衡态ppn结： 平衡态特征；动态平衡；能带；耗尽区电场、电势分布 非平衡态pn结： 外场下耗尽层宽度外场下耗尽层宽度、接触势垒接触势垒、能带结构和少数载能带结构和少数载 流子浓度的变化规律。 理想电流电压特性的推导 理想电流电压特性的推导。 1 半导体器件物理半导体器件物理 p-n结 双极型晶体管（BJT） 金氧半场效应晶体管（MOSFET） 光电子器件 2 晶体管 晶体管是现代电器的晶体管是现代电器的关键有源元件关键有源元件，，结合其他电路结合其他电路 元件，可获得电流、电