万克树《材料分析测试技术》3.1 XPS-aus.pptVIP

* 俄歇电子能谱的分析技术 俄歇电子能谱的定性分析 俄歇电子能谱的半定量分析 俄歇电子能谱的深度分析 俄歇电子能谱的微区分析 * 俄歇电子的能量仅与原子本身的轨道能级有关，与入射电子的能量无关，也就是说与激发源无关。 对于特定的元素及特定的俄歇跃迁过程，其俄歇电子的能量是特征的。由此，我们可以根据俄歇电子的动能用来定性分析样品表面物质的元素种类。 定性分析方法可适用于除氢、氦以外的所有元素，对未知样品的定性鉴定是非常有效的。 俄歇电子能谱的定性分析 * 由于激发源的能量远高于原子内层轨道的能量，一束电子束可以激发出原子芯能级上的多个内层轨道电子，再加上退激发过程中还涉及到两个次外层轨道的电子跃迁过程。 因此，多种俄歇跃迁过程可以同时出现，并在俄歇电子能谱图上产生多组俄歇峰。尤其是对原子序数较高的元素，俄歇峰的数目更多。 俄歇电子能谱的定性分析 * 在分析俄歇电子能谱图时，有时还必须考虑样品的荷电位移问题。一般来说，金属和半导体样品几乎不会荷电，因此不用校准。但对于绝缘体薄膜样品，有时必须进行校准。 通常以C KLL峰的俄歇动能为278.0 eV作为基准。在离子溅射的样品中，也可以用Ar KLL峰的俄歇动能214.0 eV来校准。 在判断元素是否存在时，应用其所有的次强峰进行佐证，否则应考虑是否为其他元素的干扰峰。 俄歇电子能谱的定性分析 * 金刚石表面的Ti薄膜的俄歇定