铜互连电迁移失效阻变特性研究.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 24 (2012) 248501 铜互连电迁移失效阻变特性研究* 吴振宇 董嗣万 刘毅 柴常春 杨银堂 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 ) ( 2012 年6 月18 日收到; 2012 年7 月4 日收到修改稿) 基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu/SiCN 互连电迁移失效阻变模型, 并提出一种由互连阻变曲 线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法. 研究结果表明, 铜互连电迁移失效时间由一定 电应力条件下互连阴极末端晶粒耗尽时间决定. 铜互连电迁移失效一般分为沟槽型和狭缝型两种失效模式. 沟槽型 空洞失效模式对应的阻变曲线一般包括跳变台阶区和线性区两个特征区域. 晶粒尺寸分布与临界空洞长度均符合 正态对数分布且分布参数基本一致. 阻变曲线线性区斜率与温度呈指数函数关系. 利用阻变模型提取获得的电迁移 扩散激活能约为0.9 eV, 与Black 方法基本一致. 关键词: 互连, 电迁移, 阻变特性 PACS: 85.40.Ls, 66.30.Qa 效利用阻变特性测量结果对电迁移失效物理模型 1 引言 进行更深入地分析和验证. 本文基于失效模式分析 建立阻变模型, 阐明微观结构因素对阻变特性曲线 铜相对铝而言具有其电阻率低、热导率高、 的影响, 进而利用电子风力原子扩散流方程, 并结 机械强度大等优点, 同时由于其熔点高, 晶界扩散 合Arrhenius 方法, 建立电迁移失效参数提取技术, 和晶格扩散系数小, 因此Cu 互连取代Al 互连成为 研究结果与Black 模型良好符合. 主导互连技术. 电迁移(electromigration, EM) 失效 [1] 是铜互连可靠性的重要问题之一 . 在电迁移过 2 阻变模型与实验 程中, 导线中的金属离子在电子风力作用下从阴极 向阳极方向移动, 在阴极和阳极附近的电子电流流 2.1 阻变模型 通量发生变化处形成空洞或小丘, 分别引起金属互 图1 给出了铜互连截面结构示意图. 假设互连 [2] 连线的开路或短路 . 加速寿命试验技术是电迁 线长度为, 宽度, 高度, 阻挡层厚度b . 铜电阻 移测试的主要手段之一. 该方法在较高电流和温度 率cu , 阻挡层电阻率为b . 则铜线和阻挡层的截 条件下, 通过测量互连样品电阻随时间的变化, 采 面积分别可以表示为 用合适的阻值失效判据, 获得互连样品电迁移失效 cu = ( b )( 2b ) (1a) 时间, 并应用统计分布求解累积失效分布得到失效 中位寿命, 进而利用Black 方程得到电迁移扩散激 b = (2 + 2b )b (1b) 活能[3−5] . 可见, 在传统的阻变曲线电迁移失效参 假设互连电阻初始值为 , EM 诱生沟槽型空 0 数提取方法往往并不区分具体微观失效过程与机 洞长度为 , 互连电阻随