等离子体键合和BH共注实现低温SOI工艺的研究论文.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 等离子体键合和B+／矿共注实现低温SOI工艺的研究 马小波詹达刘卫丽’宋志棠沈勤我林梓鑫 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心200050 摘要：为了降低Smart-Cut技术的热处理温度，采用等离子体表面处理和B+／H+共注的 方法增强硅／二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度。研究了等离子体表面处理对 键合界面的影响，系统研究了不同硼注入剂量和不同温度退火时硅表面的剥离情况。研究 结果表明经适当N}等离子体低温处理后，经300℃低温处理1小时其键合能达5J／m2。B+／H+ 共注的硅片在300℃以内便可实现剥离。利用Smart—Cut技术，结合等离子体和B+／H+共注 的技术制备出了高质量的SOI材料，原子力(AFM)测试结果表明顶层硅薄膜的粗糙度远 低于单独注氢制成SOI材料。通过稀释的Secco腐蚀测试发现表面缺陷完全满足器件制造 要求。该工作对降低Smart—Cut技术热预算，为特种低温硅基材料制备都具有重要指导意 义。 前言 2003年国际半导体技术蓝图(ITRS)确定：“随着器件的发展，最终将需要SOI衬底 取代体硅衬底n1。”经过多年材料发展和电路研究，SOI技术明显已成为获得高性能微电子 器件的可行方法。在利用三维混合集成技术实现新型微尺寸芯片中，SOI技术已成为其中 的关键技术，但后续高温处理是无法忍受的，并且已成为进一步发展的瓶颈。以智能剥离 人研究乜·引，大剂量注氢的单晶硅在温度低于300℃时，氢复合体不会发生分解，表面无气 泡产生，低于420℃临界温度时，不会在硅表面形成砂眼或表层剥离。也有对硼氢共注的 机理相应的研究H~81，但对于低温下完成键合并制成SOI材料的报道比较少，目前还没有 关于在硼氢共注后，低温剥离制成SOI顶层硅缺陷密度的报道，为此我们进行硼氢离子共 注入单晶硅实验，利用硼对氢 的吸附聚集，发现在一定剂量 能量硼氢共注后退火，250℃时 硅表层下就出现大量气泡，300 ℃时出现更多氢气泡、砂眼和 剥离出的小坑，而且我们实现 了低温情况的Smart—Cut，表 征了SOI顶层硅的缺陷密度， rE。，田Eo{《一亡o—苛暑c8coQ 确定了顶层硅厚度的决定性因 c仑。日 素已经由注入氢的损伤层转变 为硼的损伤层，并在后续退火 中发现500℃是一个降低顶层 图1SRIM2003模拟B+／H+注入硅片后浓度分布 硅缺陷的临界温度。实验中使 358 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 (SEM)、原子力显微镜(AFM)对