吉林大学机械测试技术基础第三章.ppt

（3-39） 式中 kH—霍尔常数，取决于材质、温度、元件尺寸 i—电流 B—磁感应强度 α—电流与磁场方向的夹角 根据此式，如果改变 B 或 i，或者两者同时改变，就可改变 VH，值，运用此特性，把被测参量转化为电压值的变化。 霍尔电势 VH，其大小为 图3-39表示用霍尔元件测量位移的实例。将霍尔元件置于两个方向相反的磁场中，由于每点磁感应强度不同，当元件沿x方向移动时，由霍尔电势的变化反映出位移量。将微小位移测量为基础，霍尔元件还可应用于微压、压差、高度、加速度和振动的测量。图3-40表示一种利用霍尔元件探测钢丝绳断丝的工作原理。 二．光敏传感器 （一）光敏电阻 光电效应：光敏电阻是一种光电导元件。其工作原理是基于半导体 材料的内光电效应。当半导体受到光照射时，其内阻值减小的现象。 阻性偏压：光敏电阻是一种电阻器件，使用时对它加一定偏压，无 光照射时，其阻值很大，电路中电流很小。当受到光照时，其阻值 急剧下降，电路电流迅速增加。 材料光谱：光敏电阻阻值的变 化与光的波长有关，不同材料 的光谱特性不同，见图3-41， 应根据入射光 波波长选择材料。 温度影响：光敏电阻受温度的 影响甚大，温度升高时，它的 暗电阻值、灵敏度下降，使用 时注意。 ZnS CdS Si Ge PbS PbTePbSe 相 对 灵 敏 度 % 0 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10.0 100 80 60 40 20 入射波长（μm） 图3-41 光敏电阻材料的光谱特性 （二）光电池 光生电能：半导体光电池直接将光能转换成电能。受光照射时，可直 接将光能转换成电源。 工作原理：图3-42表示具有PN结的光电池工作原理。当用光照射 时，在PN结附近，由于吸收了光子能量而产生电子和空穴，称之为 光生载流子。它们在PN 结电场作用下，产生漂移运动，电子被推向 N 区，而空穴被推进 P 区，使P 型区带正电，而 N 型区带负电， 二者之间产生了电位差，用导线联接电路中就有电流通过。 材料特性：一般常用光电池有 硒、硅、锑化镉、硫化镉等光 电池，其中使用最广泛的是硅 电池，其光谱范围为0.4~1.1μm， 灵敏度为6~8nAmm-2lx-1；响应 时间为数微秒至数十微秒。 P N 图3-42 光电池工作原理 （三）光敏二极管和光敏三极管 光敏二极管：光敏二极管是一种既有一个PN结又有光电转换功能的晶体二极管。PN结位于管的顶部，以使接受光照。光敏二极管在电路中通常处于反向偏置状态。在没有光照射时，处于截止状态，反向电阻很大，反向电流很小。当光照射时，PN结附近受光子轰击产生电子和空穴，少数载流子浓度大大加强，使通过PN结的反向电流大大增加，形成光电流。光照度变化使光电流变化，这样事项把光信号转换成点信号的功能。基本电路见图3-43。 Rf 图3-43 光敏二极管基本电路 光敏三极管：若把普通晶体管的基极—集电极制成光敏二极管，则成为光敏三极管。由于光敏三极管的基极电流由其基极—集电极结的光电流供给，许多光敏三极管不再设基极引线。图3-44为其基本电路。 光电转换元件具有高灵敏度、体积小、重量轻、性能稳定、价格便宜等优点，应用广泛。图3-45是一种检查零件表面缺陷的光电传感器，图3-46是光电转速计的工作原理。 特点：光敏三极管具有输出信号大，抗噪声能力强等优点，响应速度略慢些。 c e 图3-44 光敏三极管基本电路 三．固态图像传感器 功能上：图像传感器是一个能把受光面的光像分成许多小单元（称 为像元），并将它们转换成电信号，然后顺序输送出处的器件。 构造上：图像传感器是一种小型固态集成元件，它的核心上电荷耦 合器件（CCD）。CCD由阵列式排列在衬底上金属氧化物—硅 （MOS）电容器组成，它具有光生电荷、积蓄和转移电荷功能。 在控制脉冲电压作用下，CCD中依次排列相邻的MOS电容中的信号 电荷，将有次序地转换到下一个电容中，实现电荷并行构成。光敏 元1和CCD2之间有一转换控制栅3（见图3-47），其中CCD作为读出 移位寄存器。 1 2 3 图3-47 线型CCD图像传感器 光敏元→MOS电容（正对着CCD上一个电容）→电荷（与光照度、积蓄时间成正比）→转移光栅打开→光敏光电荷并行移到CCD→关闭光栅→上一次一串电荷信号沿移位寄存器顺序地转换并在输出端串行输出。 特点：小型、轻便、响应快、灵敏度高、稳定性好、寿命长。 用途：（1）物位、尺寸、形状、工件损伤等测量。 （2）光学信息处理的输入环节，如电视摄像、仿真技术、文字识别、图