缺陷对电荷俘获存储器写速度影响.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．5(2014) 053101 缺陷对电荷俘获存储器写速度影响冰 汪家余 赵远洋 徐建彬 代月花f (安徽大学电子信息工程学院，合肥 230039) (2013年9月12日收到；2013年 11月21日收到修改稿) 基于密度泛理论的第一性原理以及VASP软件，研究了电荷俘获存储器fCTM)中俘获层HfO2在不同缺 陷下 (3价氧空位 ( 3)、4价氧空位 (4)、铪空位 ( f)以及间隙掺杂氧原子 (Io))对写速度的影响．对比计 算了HfO2在不同缺陷下对电荷的俘获能、能带偏移值以及电荷俘获密度．计算结果表明： 3，Yo4与 f为 单性俘获， 则是双性俘获，Hf02在 If时俘获能最大，最有利于俘获 电荷；VHf时能带偏移最小，电荷隧穿 进入俘获层最容易，即隧穿时间最短；同时对电荷俘获密度进行对比，表明 f对 电荷的俘获密度最大，即电 荷被俘获的概率最大．通过对 CTM 的写操作分析 以及计算结果可知，CTM俘获层m-HfO2在 f时的写速 度 比其他缺陷时的写速度快．本文的研究将为提高CTM操作速度提供理论指导． 关键词：电荷俘获存储器，写速度，铪空位，第一性原理 PACS：31．15．A一，23．40．一s，81．05．Hd，73．23．一b DOI：10．7498／aps．63．053101 有效质量、俘获截面和能带偏移)对CTM的擦写速 1 引 言 度 (program anderase)和存储特性 (retention)的 影响，研究结果表明，俘获深度越大，写速度越快； 随着非挥发存储器的不断发展，传统的浮栅存 增加俘获截面提高俘获密可以提高写速度，其中俘 储器己不能满足需要，例如传统器件尺寸的不断减 获深度是对 电荷的俘获能量，俘获截面则反映电荷 小，导致器件的泄漏 电流增大，从而直接影响了存 被俘获的概率．文献f8]从能带偏移角度对CTM的 储器的存储特性．CTM 由于可 以很好的缓解存储 P—E进行研究，文 中指出能带偏移值越小，载流子 器的尺寸与泄漏 电流之间的矛盾，并且具有 良好的 隧穿的难度越小，越有利于提高擦写速度． 存储特性等优点，作为下一代非挥发性存储器而被 第一性原理已被国内外所认可，并被大量的研 广泛的研究 [1-3J． 究所运用 [9--13]．高 材料Hf02作为CTM俘获层 目前，提高CTM的特性成为研究的重点，表 被广泛研究[14-is]．文献f151通过第一性原理研究 征器件特性的参数包括擦写速度、存储周期、存储 氧空位、间隙氧以及铪空位对Hf02的结构以及对 窗口以及数据保持特性等[1-5】．文献 4【】研究不同 电荷俘获特性的影响，结果表明，不同的缺陷对 电 材料及缺陷对CTM特性的影响，结果表明高k材 荷的俘获特性是不同的．目前对CTM的研究中， 料作为俘获层可以有效的提高写速度 以及提高数 本征缺陷对其写速度特性研究很少，文献f191通过 据的保持特性；文献f51的研究是通过在CTM中 实验分析了间隙氧浓度对CTM性能的影响，结果 的俘获层与隧穿层之间引入Si3N4形成双隧穿层 表明，氧浓度越低，对电荷 的俘获密度越大，即间隙 结构，减小载流子通过隧穿效应进入俘获层的时 氧原子在Hf02中的浓度越小，越有利于提高俘获 间，以达到提高器件写速度的目的；文献 6『]研究 密度．通过对CTM