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65+nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究.pdf
第 卷第 期 原 子 能 科 学 技 术 ,
51 5 Vol.51No.5
年 月
2017 5 AtomicEner ScienceandTechnolo Ma 2017
gy gy y
65nm三阱CMOS
静态随机存储器多位翻转实验研究
,
1 1∗ 1 2 1 1 1 1
, , , , , , ,
李丽丽 郭 刚 蔡 莉 池雅庆 刘建成 史淑廷 惠 宁 韩金华
( , ; , )
1.中国原子能科学研究院 核物理研究所 北京 1024132.国防科学技术大学 湖南 长沙 410073
: ( )
摘要 利用 种不同线性能量转换值的重离子对一款 三阱 静态随机存储器 进行
4 65nm CMOS SRAM
, 、 、
重离子垂直辐照实验 将多位翻转图形 位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面 单
。 ,
粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析 结果表明 单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结
, 。
点面积 单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积 多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻
, 。
转截面远大于单粒子事件截面 多位翻转成为 SRAM单粒子翻转的主要来源 结合器件垂直阱隔离布
, ,
局及横向寄生双极晶体管位置 分析得到多位翻转主要由 和 晶体管的双极效应引起 且
PMOS NMOS
NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。
: ; ; ; ;
关键词 多位翻转 静态随机存储器 三阱 双极效应 重离子
中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( )
TN99 A 1000-6931201705-0909-07
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doi10.7538 zk.2017.51.05.0909
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ExerimentalResearchofMultileCellUsets
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