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PMOS+OTP的器件结构、工作原理以及实现方法.pdf

工艺与制造IPr。cessandFabricati。n PMOS OTP的器件结构、工作原理 以及实现方法 胡晓明 (上海华力微电子有限公司,上海201203) time 摘要:OTP【one memory)是常见的一种NVM,在有限密度有限性能的嵌 programmable NVM成本昂贵。OTP与 入式NVM方面有较多的应用,传统的EEPROM、SONOS、E—Flash CMOS相容的嵌入式NVM技术是当前工业界的成功解决方案,并在诸如模拟技术微调应用中的 位元级一直到数据或代码储存的千位元等级取得越来越广泛的应用。其特点在于与CMOS工艺 相容,工艺步骤简单、无须额外的光照,成本低廉,可以增强片上系统的功能和灵活性。作者介 绍了工业界对于OTP开发的主流类型一利用PMOS来设计OTP的器件结构、基本工作原理。 重点分析了在技术研发中遇到的独特的挑战及其解决方案。 Block 关键词:OTP;热载流子;P型MOS—FET;浮栅;选择栅;Silicide 文章编号:1 中图分类号:TN405文献标识码:A 674—2583(201 7)05—0058—06 4 DOI:10.1 674-2583.2017.05.01 9339/j.issn.1 中文引用格式:胡晓明.PMOSOTP的器件结构、工作原理以及实现方法[J】.集成电路应用, 201 7,34(5):58-63. PMOSOTPDevice and Structure,Work Principle RealizeMethod HU Xiaoming HualiMicroelectronics 201 203,China.) (Shang Corporation,Shanghai Abstract:OTP(onetime anovelNVMwhichiS usedin memory)iS programmable popular Iow andCOStNVM tOtraditionaI density application.Comparing NVM,OTPhas incost.OTPemendedinCMOS obviouslyadvantage fully process.it’Swidely usedfor micro fromseveralbitstokilobits.Inthis focus analogproductadjustment paper.we onPMOSOTP‘Sdevice andrealizemethod.The faced structure,work type pri

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