GaN 基蓝光发光二极管的波长稳定性研究 - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 / # %$ # ， ， ， ?HD ./ *H . # 4IJIKL %$ （ ） !E%’3%$3/ # 3%5%E$ 4F94 7GA2F4 A2*2F4 %$ FMB0 . 7MNK . AHO . !# 基蓝光发光二极管的波长稳定性研究! 罗 毅 郭文平 邵嘉平 胡 卉 韩彦军 薛 松 汪 莱 孙长征 郝智彪 （清华大学电子工程系，集成光电子学国家重点实验室，北京 !#$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） % ! ! % !% ’ 尽管 基蓝绿光发光二极管（ ）已进入大规模商品化阶段，但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚 ()* +,- 未解决的关键技术难题 同时，蓝绿光 电注入发光光谱的半高全宽多为 以上 通过优化 器件材料的 . +,- %/ 01 . +,- 生长条件和总应变量，获得了高质量的 多量子阱 外延片 由此制作的 器件在 — 的注 20()*3 ()* +,- . +,- !% 14 入电流下，发光波长变化小于! 01 . 在% 14 的正向电流下，其光谱半高全宽只有!# 01，且随注入电流变化较小. 关键词： ，发光二极管，波长稳定性 ()* ： ， ， ， $% 5%#, 5#6/7 5#68 5#$( ()* 基+,- 发光光谱的稳定性，并实现极窄的发光 !: 引 言 光谱. ()* 基材料由于具有直接带隙，发射光谱覆盖 % : 实验步骤 整个可见光范围，并且具有很高的击穿电压，因而在 高亮度蓝绿光发光二极管（ ）、蓝紫光激光二极 本文的 20()*3 ()* 多量子阱 +,- 结构采用 +,- ［— ］ ! 技术在（ ）面蓝宝石衬底表面生长，其外 管（ ）以及高温大功率电子器件 中具有极为重 =?7, ! +- 延结构如图 所示 首先，在蓝宝石衬底上生长约 要的应用价值. 近几年来高亮度蓝绿光+,- 发展迅 ! . 的低温 缓冲层 然后，将衬底温度升高到 速，已成为大屏幕全彩色显示、交通信号灯必需的发 01 ()* . ，生长约 的 掺杂 型 层 随后，衬 光器件. 同时，由蓝光 +,- 激发黄色荧光粉制作的 !$ @ $ 1 AB 0 ()* .