GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究白俊雪 - 物理学报.PDF

GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究 白俊雪 郭伟玲 孙捷 樊星 韩禹 孙晓 徐儒 雷珺 Research on the relationship between ideality factor and number of units of GaN-based high voltage light-emittingdiode BaiJun-Xue GuoWei-Ling SunJie FanXing HanYu Sun Xiao Xu Ru LeiJun 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,017303(2015) DOI: 10.7498/aps.64.017303 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.017303 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I1 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管 InGaN/GaNbluelightemittingdiodesgrownonSi(110)and Si(111)substrates 物理学报.2014,63(20): 207304 /10.7498/aps.63.207304 含有量子点的双波长LED 的光谱调控 Thespectrum-controlofdual-wavelengthLEDwithquantum dots planted in quantum wells 物理学报.2013,62(11): 117304 /10.7498/aps.62.117304 高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究 The preparation and characteristics research of high mobility amorphous indium gallium zinc oxide thin- filmtransistors 物理学报.2013,62(7): 077302 /10.7498/aps.62.077302 指数掺杂反射式GaAlAs和GaAs光电阴极比较研究 Comparisonbetweenexponential-dopingreflection-mode GaAlAs andGaAs photocathodes 物理学报.2013,62(3): 037303 /10.7498/aps.62.037303 GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析 TheoreticalstudyofluminanceofGaNquantumdotsplanted in quantum well 物理学报.2012,61(22): 227303 /10.7498/aps.61.227303 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 1 (2015) 017303 GaN基高压发光二极管理想因子与单元 个数关系研究 白俊雪 郭伟玲 孙捷 樊星 韩禹 孙晓 徐儒 雷珺 (北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124) ( 2014 年7 月4 日收到; 2014 年9 月10 日收到修改稿) 理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象. 针对目前报道的GaN 基发光二 极管的理想因子的问题, 通过对高压发光二极管- 曲线的拟合计算出了理想因子 的数值, 分别讨论了12 V, 19 V, 51 V 和80 V GaN 基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系, 分析了理想因子 大小与光谱半高宽(FWHM) 的变化关系. 另外, 还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析. 结果表明: 高压发光二极管理想因子 随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加, 高压发光二极管理想因子 是由其 串联单元理想因子之和构成的. 这对GaN 基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值. 关键词: GaN 基发光二极管, 高压, 理想因子, 串联单元 PACS: