发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT.PDF

第37卷第5期 北京工业大学学报 VoI．37No．5 2011年5月 JOURNALOFBEIJINGUNIVERSITYOFTECHNOLOGY 2011 May HBT 发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe 设计及热分析 陈 亮，张万荣，金冬月，谢红云，胡 宁，肖 盈，王 扬 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100124) 摘 要：为了增强多发射极指SiGeHBT的热稳定性，提出了发射极指分段与非均匀指间距组合的新型器件结 构．使用有限元方法对新型结构的SiGeHBT进行热分析，得到了发射极指上的三维温度分布．结果表明，与传 统的完整结构及发射极指分段和均匀指间距组合的结构相比，新型结构明显降低了最高结温，温度分布更加均 匀，使有源区整体热流分布更加均匀合理，有效地提高了器件的热稳定性． 关键词：异质结双极晶体管；分段结构；热模拟 322．8 中图分类号：TN 文献标志码：A 文章编号：0254—0037(2011)05—0697—04 随着功率SiGeHBT越来越多地被应用于功率放大器、射频／微波通信和卫星通信等领域，其自身的热 稳定性变得尤为关键．提高功率SiGe HBT的热性能以保证器件在功率应用时的可靠性，已经成为国内外 众多研究机构和学者开展研究的重点之一． 功率SiGeHBT通常为多发射极指结构，采用并联方式，这样的设计可以改善电流处理能力，减少沿发 射极条长方向的信号异相延迟时间．然而在传统的完整结构(发射极指未分段且均匀指间距)中，每个指 上的自热效应和指间的热耦合使热分布不均衡，芯片中心区域的温度较外部区域高，又因为发射极电流有 正温度系数(热电正反馈)，中心区域将传导更多的电流，结果产生更多的热，最终产生局部热斑(hot spot)，导致出现电流集中现象，甚至造成器件永久损坏。I-4]．自热和热耦合使SiGeHBT在高功率下变得 不稳定，严重限制晶体管的功率处理能力．为了改善器件热性能，人们分别提出了非均匀发射极指间距结 构和发射极指分段结构¨引．非均匀发射极指间距结构可以用来抑制各发射极指之间的热耦合，在横向上 改善了各发射极指温度分布的非均匀性，发射极指分段结构在纵向上改善了每个发射极指上的温度分布 的非均匀性． 本文提出了发射极指分段与非均匀指间距组合的新型器件结构，从纵向和横向2个方向改善芯片温 度分布的非均匀性．利用ANSYS软件的有限元分析方法¨m…对新型结构的SiGeHBT进行三维热模拟， 结果表明，采用发射极指分段与非均匀指间距组合的结构设计是一种非常有效的改善器件热稳定性的 方法． 1 器件结构 以10个发射极指为例来展示器件结构，如图l所示，每个发射极指分为2段，段间距为d(2斗m)，段 长为￡、段宽为形．各发射极指的间距(S)按从中间到两侧逐渐减小的规律设计‘121，从左到右依次为4．6、 收稿日期：2009．03-09． 第一届博士研究生创新计划项目(bcx一2009-012)． 作者简介：陈亮(1982一)，男。山东泰安人。博士研究生． 5 2、805、6 75、4 75、69、805、9 9、5 6“‰同时 lo指完档结构(d=0“m)厦l【】指发射檄指分段 (dⅫ2 )与均匀指问距组音的器件结构作为对比 以上3种站构具有相同的发射撮指总长度和榭 同的发射扳措总删距每个挺舯搬指断积为20“m。r．- 碉 (分段绱构中发射授段而祝为10¨m。)．有豫区面积一J 75 为2580“m‘．施加在器什摸型L的耗做功率为0 l m 10☆＆#＆b#目q目m目音镕目女率