提高GaN 基发光二极管外量子效益的途径.PDF

提高 GaN 基发光二极管外量子效益的途径 国家电光源质量监督检验中心（上海） 国家灯具质量监督检验中心 上海时代之光照明电器检测有限公司 李为军 博士 摘 要：发光二极管（LED）低的外量子效率严重制约了 LED 的发展，本文主要介绍了提高 GaN 基 LED 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉 格反射层（DBR）结构， 改变 LED 基底几何外形来改变光在 LED 内部反射的路径和表面粗化 处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与 SU8 相结合技术在提高 LED 外量子光效益方面进行了初步探索。 关键词: 外量子光效益； 芯片非极性面/半极性面生长技术；分布布拉格反射层（DBR）结 构； 光子晶体技术和全息技术；纳米压印技术与 SU8 技术； 1 GaN基 LED 发展的历史和研究现状 20世纪90年代中期，日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力突破了制造蓝光 LED的关键技术。GaN基蓝色LED的出现，大大扩展了LED的应用领域，从此掀开了第三代半导 体材料GaN基半导体照明的革命。这是继GaAs,InP等第二代半导体材料后出现的第三代新型 半导体材料。作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多Si基半导体材料所不具备的优 异性能，具有禁带宽度大、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性高等优点,比较 适合用于雷达、导弹、通信、潜艇、航空航天及石油、化工、钻探、核电站等领域的电子设 备,对于抗辐射、耐高温、高频、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁带宽度制作的蓝色、 绿色、紫外发光器件和光探测器件,具有极大地发展空间和广阔的应用市场GaN半导体材料。 虽然GaN基LED已经产业化，但芯片出光效率低的问题仍没很好的解决。例如，现在商业化的 白色LED在室温20mA电流注入下发效是25流明/瓦.这个值虽然高于相同条件下白炽灯的发效 为15流明/瓦，但比目前我们日常普遍使用的日光灯的发光效益75流明/瓦相比还有相当大的 差距。因此，获得更高能量效率GaN LED是目前大家普遍关注的目标。一般来说，这儿有两 个主要途径可以用来提高GaN 基LED的外量子效率。其一是提高其内量子发光效率，其内量 子光效率的提高主要和优化材料的质量、外延层的结构相关联。较高内量子光效率的数值已 经被报道，现在典型的蓝色LEDS的内量子发光效率达到70%以上[1]，新近在低位错的GaN衬 底生长的（UV）LEDs显示内量子发光效率接近80% [2]。由于GaN功率型LED所用的外延材料 一般采用MOCVD的外延生长手段和多量子阱结构，因此，提升内量子效率的空间不大。要想 获得实现真正意义上的第三代照明工程，提高GaN基LED的出光效益是非常重要的。目前很多 研究机构在提高GaN基LED的外量子出光效率方面做了大量的尝试性工作。本文主要报道了在 提高LED外量子效益方面的一些研究进展。 2 提高LED出光效益的最新手段 由于衬底和外延膜的晶格不匹配效应导致 LED 内部存在大量地非辐射缺陷，使得 GaN 基 LED 内部光电转换效率很低，远远小于 100% 。此外，导致 GaN 基发光二极管外量子效率 不高的原因很大程度上在于氮化物外延层和空气的反射系数差异较大导致的全反射问题。因 此，如何提高 LED 出光效率是发展大功率 GaN基 LED 需要解决的关键问题。近来一些新的技 术手段已被用来提高 LED 外量子光效益，这其中包含了微米尺度的粗糙化[3, 4]、对基底 的微图案处理[5, 6]或金字塔形的表面处理方式[7]等。本文主要报道了在提高 GaN 基 LED 外量子效益的最新的一些研究成果。 （1） 芯片非极性面/半极性面生长技术 非极性面是指极性面法线方向上的面，而半极性面则是介于极性面和无极性面之间的 面。比如，在底板的无极性面和半极性面上制作的 InGaN类 LED，与在极性面制作的 LED 相 比，具有发光效率高，可降低因增大驱动电流而产生的发光波长变化的优点。这主要是因为 能够减弱作为活性层的 InGaN 的压电场。而普通蓝色 LED 和绿色 LED 使用的活性层为量子阱 结构的 InGaN 类发光元件，通常使用蓝宝石底板和 SiC 底板的极性面—c面（0001）作为生