漏区SiO 2 膜离子注入 - Read.PPT

第 四 章 集成电路制造工艺 双极集成电路制造工艺 CMOS集成电路制造工艺 接触与互连 Al是目前集成电路工艺中最常用的金属互连材料 但Al连线也存在一些比较严重的问题 电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等 Cu连线工艺有望从根本上解决该问题 IBM、Motorola等已经开发成功 目前，互连线已经占到芯片总面积的70～80%；且连线的宽度越来越窄，电流密度迅速增加 栅结构材料 Al-二氧化硅结构 多晶硅-二氧化硅结构 难熔金属硅化物/多晶硅-二氧化硅结构 隔离技术 PN结隔离 绝缘介质隔离 沟槽隔离 集成电路工艺小结 前工序 图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术 薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等 掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术 集成电路工艺小结 后工序 划片 封装 测试 老化 筛选 集成电路工艺小结 辅助工序 超净厂房技术 超纯水、高纯气体制备技术 光刻掩膜版制备技术 材料准备技术 作 业 画出NMOSFET的截面图和俯视图 设计制备NMOSFET的工艺，并画出流程图 沟槽隔离工艺 * * SiO2厚膜： n+发射区 p p p n n n n+ n+ 基区 集电区 Al电极 C E B 隔离发射区与集电区 p+场隔离区 P型 :与周围器件隔离 与Al电极形成 欧姆接触 预埋层； 减少集电区寄生电阻 n+ P+ P+ NPN双极型三极管内部结构示意图 p区：掺杂浓度一般的n型区 n+区：掺杂浓度较高的n型区 n区：掺杂浓度一般的n型区 p+区：掺杂浓度较高的p型区 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀 Si片 1、预埋层工艺 P型衬底 曝光 扩散掺杂形成n+预埋层 n+ n+ n+ n+ 光刻胶 SiO2膜 曝光 离子注入形成p+隔离区 离子注入 P型衬底 2、形成下隔离区 p+ 最后去掉多余的光刻胶和SiO2膜 CVD法形成n型外延层 n型外延层 3、形成n型外延层 p+ 4、形成上隔离区 光刻胶 SiO2膜 曝光 离子注入 离子注入形成p+隔离区 p+ p+ N阱 N阱 N阱 集电区 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀 曝光 Si3N4膜 热氧化形成厚SiO2膜 5、形成集电极与发射区之间的隔离区 N阱 p+ 集电区 光刻胶 SiO2膜 离子注入 离子注入形成p型基区 p p p 6、形成基区 集电区 光刻胶 SiO2膜 曝光 离子注入 离子注入形成n+隔发射区与集电区电极 p p p n n n n+ n+ 基区 集电区 7、形成发射区 光刻胶 SiO2膜 曝光 离子注入形成n+隔发射区与集电区电极 p p p n n n n+ n+ 基区 集电区 反应离子刻蚀 8、形成Al电极 光刻胶 SiO2膜 曝光 离子注入形成n+隔发射区与集电区电极 p p p n n n n+ n+ 基区 集电区 反应离子刻蚀 蒸发Al膜 C E B 与Al电极形成 欧姆接触 SiO2膜 离子注入形成n+隔发射区与集电区电极 p p p n n n n+ n+ 基区 集电区 Al电极 C E B p+ p+ Si片 p型衬底 厚SiO2膜 磷硅玻璃膜 W W Al电极 n+ n+ G S D n沟道场效应管内部结构 形成与周围器件的隔离区 钨塞 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀Si3N4膜 Si片 p型衬底 曝光 Si3N4膜 热氧化形成厚SiO2膜： 1、热氧化形成厚SiO2膜 形成与周围器件的隔离区 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀Si3N4膜 Si片 p型衬底 曝光 Si3N4膜 厚SiO2膜 2、去处不必要的Si3N4膜 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀多晶硅膜 Si片 p型衬底 曝光 Si3N4膜 厚SiO2膜 多晶硅膜 3、形成多晶硅栅 栅 去掉剩下的光刻胶 源、漏区 SiO2膜 离子注入 Si片 p型衬底 Si3N4膜 厚SiO2膜 多晶硅膜 4、形成源、漏区 n+ n+ 栅 去掉不必要的多晶硅 SiO2膜 PSG流平 Si片 p型衬底 Si3N4膜 厚SiO2膜 CVD法形成磷硅玻璃膜 5、表面平坦化 G S D SiO2膜 Si片 p型衬底 Si3N4膜 热氧化形成厚SiO2膜 磷硅玻璃膜 6、形成接触孔 反应离子刻蚀PGS膜及SiO2膜 G S D 光刻胶 曝光 去掉剩下的光刻胶 SiO2膜 Si片 p型衬底 厚SiO2膜 磷硅玻璃膜 7、形成金属电极 G S D 光刻胶 曝光 n+ n+ CVD法沉积钨塞 PVD法沉积Al膜 W W 反应离子刻蚀Al膜 去掉剩下的光刻胶 Si片 p型衬底 厚SiO2膜 磷硅玻璃膜 W W Al电极 n+ n+ G S D 8、n沟道场效应管内部结构 Si片 p型衬底 厚SiO2膜 磷硅玻璃膜 W W Al电