电子学I 第四章双极性接面电晶体(参考台科大题库).DOC

電子學I 第四章 雙極性接面電晶體(參考台科大題庫) 命題 教師 張世忠 班級 座號 姓名 ◎ 選擇題，共130題( ) 1. 下列關於BJT的敘述，何者錯誤？ (A) 對NPN BJT而言，　 (B)　 (C) 為共射極組態之電流增益　 (D) 為共集極組態之電流增益 ( ) 2. 電晶體B、C、E三個端點，何者功能為發射載子？ (A) B極　 (B) C極　 (C) E極　 (D) 視工作組態而定 ( ) 3. NPN電晶體若欲工作在主動區active region）則？ (A) 基射接面需順偏，基集接面需順偏　 (B) 基射接面需順偏，基集接面需反偏　 (C) 基射接面需反偏，基集接面需順偏　 (D) 基射接面需反偏，基集接面需反偏 ( ) 4. 若電晶體的，則？ (A) 88　 (B) 49　 (C) 66　 (D) 99 ( ) 5. 在主動區工作的電晶體放大器，若，，則應為？ (A) 10　 (B)　 (C)　 (D)( ) 6. 某電晶體，測得基極電流，集極電流，則此電晶體工作於何區？ (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 負電阻區 ( ) 7. 、逆向主動區之及飽和區之，三者之大小關係，以下何者最有可能？ (A) 　 (B) 　 (C) 　 (D) ( ) 8. 雙極接面電晶體的大小依序為？ (A) B＞C＞E　 (B) B＞E＞C　 (C) C＞E＞B　 (D) E＞B＞C ( ) 9. 電晶體工作區電壓應為何？ (A)　 (B)　 (C)　 (D)( )10. 若一電晶體，？ (A) 　 (B) 　 (C) 　 (D) ( )11. 一般雙極接面電晶體BJT）的摻雜doping）濃度大小依序為？ (A) B＞C＞E　 (B) B＞E＞C　 (C) C＞E＞B　 (D) E＞B＞C ( )12. NPN (A) 順向主動區　 (B) 逆向主動區　 (C) 飽和區　 (D) 截止區 ( )13. 電晶體於線性工作時，其工作點Q應位於？ (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 崩潰區 ( )14. 下列有關雙極性電晶體的特性參數何者錯誤？ (A) 值接近1　 (B) 　 (C) 值通常在數十以上　 (D) ( )15. (A) 使用BE兩端　 (B) 使用BC兩端　 (C) 使用CE兩端　 (D) BC接在一起後，使用CE兩端 ( )16. 下列有關電晶體特性曲線何者錯誤？ (A) 集極輸出特性曲線表示的是與之間的關係　 (B) 基極輸入特性曲線表示的是與之間的關係　 (C) 繪製集極輸出特性曲線時是以為參考　 (D) 對與之間的關係影響不大 ( )17. 已知某電晶體之電流增益由0.99變為0.98，若此電晶體基極電流，請問下列敘述何者錯誤？ (A) 電流增益將會增加　 (B) 射極電流由2mA降為1mA　 (C) 集極電流由1.98mA降為0.98mA　 (D) 若想維持原來的集極電流，可增加基極電流 ( )18. 若，，則電晶體之直流增益為何值？ (A) 100　 (B) 10　 (C) 50　 (D) 6 ( )19. 下列敘述何者錯誤？ (A) BJT當開關使用時是工作於飽和區或截止區　 (B) BJT當放大器使用時是工作於主動區　 (C) BJT在主動區的偏壓方式是B-E接面順向偏壓，B-C接面逆向偏壓　 (D) BJT在飽和區的偏壓方式是B-E接面逆向偏壓，B-C接面逆向偏壓 ( )20. 、時，其工作模式為何？ (A) 順向主動區　 (B) 逆向主動區　 (C) 飽和區　 (D) 截止區 ( )21. 電晶體三個工作組態中，B、C、E三個端點，何者不可作為輸出端？ (A) B極　 (B) C極　 (C) E極　 (D) 視工作組態而定 ( )22. 電晶體、、，則此電晶體工作於？ (A) 作用區順向主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區 (D) 反轉區逆向主動區( )23. 有關電晶體之敘述，下列何者正確？ (A) 　 (B) 　 (C) 　 (D) ( )24. (A) B極　 (B) C極　 (C) E極　 (D) 視工作組態而定 ( )25. 有關雙極性接面電晶體(BJT)特性之敘述，下列何者為誤？ (A) BJT為電流控制元件　 (B) NPN型BJT正常工作時，流通之多數載子為電子　 (C) BJT工作於順向主動區時，基射極需接反偏，基集極接順偏　 (D) BJT當開關使用時，工作於飽和區和截止區 ( )26. (A) CE組態　 (B) CB組態　 (C)