(激光器件课件）第四讲 半导体激光器.ppt

* * 由于能级越低，电子占据的可能性越大· * P-InP InGaAsP N-InP N+-InP衬底 P-InGaAsP 绝缘介质 增益导引型半导体激光器 通过在侧向采用类似异质结的设计而形成的波导，引入折射率差，也可以解决在侧向的光限制问题，这种激光器称为折射率导引型半导体激光器。 P-InP InGaAsP有源层 N-InP N+-InP衬底 接点 SiO2 SiO2 b） 折射率导引型半导体激光器 LD产生激光输出的三个基本条件： 泵浦源：电流注入实现 光反馈：解理面构成谐振腔 谐振腔是在垂直于P-N结的两个端面上，按晶体的天然解理面切开而形成相当理想的反射镜面构成的 解理：晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些平面称为解理面。 增益介质：P-N结区 阈值条件： 光增益大于光损耗 产生激光的机理 半导体激光器的核心是PN结，它与一般的半导体PN结的主要差别是：半导体激光器是高掺杂的，即p型半导体中的空穴极多，n型半导体中的电子极多，因此，半导体激光器p-n结中的自建场很强，结两边产生的电位差VD（势垒）很大。 无外加电场时： p区的能级比n区高eVD，并且导带底能级比价带顶能级还要低，电子占据的可能性越大 无外加电场 有外加电场 当外加正向电压时，p-n结势垒降低。在电