脉冲光信号对半导体中少数载流子寿命测试的影响论文.pdfVIP

r 750· 中国太阳能光伏进展。 ． ：脉冲光信号对半导体中， 少数载流子寿命测试的影响 陈凤翔 杨应平 胡昌奎、吴薇 武汉理工大学理学院物理科学与技术系湖北武汉430070 【摘要】 微波反射光电导衰减法是测量少子寿命的标准方法之一，具有非接触、无损伤 ．的特点。在测试过程中，通常采用脉冲光在待测样品中产生过剩电子一空穴对， 通过观察脉冲光结束后电子一空穴对的复合衰减曲线来得到样品的少子寿命。 为考虑测试过程对脉冲光源的要求，本文从理论上分析高斯脉冲光源与理想万 函数光源的差别，发现只有脉宽20≤2ns的高斯脉冲光源才可等效于6函数光 ．源。否则光电导衰减曲线间的差异虽然不影响少子有效寿命的测量，但会影响 从衰减曲线中提取的少子体寿命和表面复合速度的结果。若样品受表面状况影 响较小时，则可对光源的要求适当放宽：一 【关键词】 脉冲光源少子寿命‘高斯脉冲方脉冲 ofthe Theinfluence illuminationonthe carrierlifetimein pulse minority lifetimemeasurement WU CHEN YANG Wei， Fengxiang Changkui Yingping。HU science 430070 andtechnology，Wuhanuniversityoftechnology，Wuhancity，Hubeiprovince Departmentofphysics 0引言 半导体材料的少数载流子寿命(简称少子寿命)是表征半导体材料性能的重要参数之一， 它与迁移率、电阻率合称为半导体材料的三大重要参数。迄今出现了大量测量少子寿命的方 法，其中非接触、无损伤的典型测试方法为微波反射光电导衰减法，这种方法也是目前受 ASTM协会认可的标准方法之一。在微波反射光电导衰减法的测试过程中，通常采用脉冲光 在待测样品中产生过剩电子一空穴对，通过观察脉冲光结束后电子一空穴对的复合衰减曲线 来得到样品的少子寿命。通常情况下，人们都将脉冲光源视为理想的万函数光源，忽略了实 际的脉冲光源通常具有一定的脉宽和下降沿。本文从理论模型出发，通过对高斯脉冲光源产 生的光电导衰减曲线与理想万函数光源的光电导衰减曲线对比，分析在实际测试中对脉冲光 源的要求。 基础研究、新材料及新概念太阳电池 ．751． 1模型的建立． 一般来讲，坐标系取在样品的中间。设样品为P型，且厚度为d，则沿厚度方向设为X 方向，由于样品表面尺寸远高于样品厚度，可以采用一维模型来计算样品中的过剩载流子浓 度【l】。入射光照射到样品上x=-d／2的面。若入射光为理想的万函数光源时，即光产生函数 布可以表示为： 。。 哆o)=业坐羔篆产‘+：㈤ 其中R为样品表面反射率，畈为样品对入射光的吸收系数，g；=Ⅳ0阮(1一R) 光照结束后，利用边界条件对一维连续性方程李解，可以得到样品中平均过剩载流子浓 。7 度为：． ．