011 第十一章 化学气相沉积与纳米管.pptVIP

碳纳米管的填充 表面上单壁碳纳米管的定向生长 Ultra-long SWNTs Prepared on SiO2/Si 200μm Gas flow 500μm 500μm Gas flow 潜在应用 化学传感器 Li离子电池 纳米器件 气体存储 平板显示器 SPM探针 超强、超硬 材料 其它... 封管法的优点是： (1)可以降低来自空气或气氛的偶然污染； (2)不必连续地抽气也可以保持真空，对于必须在真空下进行的淀积十分方便； (3)可以将高蒸气压物质限制在管内充分反应而不外逸，原料转化率高。 封管法的特点 封管法的缺点是： (1)材料生长速率慢，不适于进行大批量生产； (2)反应管（一般为高纯石英玻璃管）只能使用一次（每次使用后都须打碎），这不但提高了成本，而且在反应管封拆过程中还可能引入杂质； (3)在管内压力无法测量的情况下，一旦温度控制失灵，内部压力过大，就有爆炸的危险。 封管法的特点 6 化学气相沉积的装置 6.3 热壁化学气相沉积装置 6 化学气相沉积的装置 6.4 冷壁化学气相沉积装置 与常压法CVD相比，低压CVD装置工作压力常低于100Pa 低压CVD装置：在显著低于0.1 MPa下工作的CVD 反应气体的扩散系数提高约三个数量级 气流速度提高1～2个数量级 薄膜的沉积速率提高 膜厚度均匀性好、气相形核引起颗粒污染的几率小、薄膜较为致密 与常压法CVD工艺相比较，LPCVD的三大优点： 热壁低压LPCVD装置是集成电路制造工艺中的一项重大突破性进展 ①每次的装硅片量从几片或几十片增加到100～200片 ②薄膜的片内均匀性由厚度偏差 ?(10%～20%)改进到 ?(1%～3%)左右 ③成本降低到常压法工艺的十分之一左右 6 化学气相沉积的装置 6.6 射频辅助化学气相沉积装置 atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) plasma assisted (enhanced) chemical vapor deposition (PACVD, PECVD) photochemical vapor deposition (PCVD) laser chemical vapor deposition (LCVD) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) Several Types of Chemical Vapor Deposition 7 化学气相沉积过程 化学气相沉积过程中的各个环节 表面吸附、表面反应的阶段 阶段 气相反应 化学气相沉积的表面过程 化学气相沉积本质上是一种气-固表面多相化学反应 8 化学气相沉积的沉积机理 气－固转化晶体生长的过程可以归结为几个最重要的步骤： 1）原子或分子撞击到生长表面上 2）被吸附或被反射回气相 3）被吸附物之间发生表面反应形成成晶粒子 4）通过二维扩散迁移到适当晶格位置上并进入晶格 成核机理 VLS机理 8.1 传统的成核机制 VLS(Vapor-Liquid-Solid)机制。反应物在高温下蒸发，在温度降低时与催化剂形成低共熔体小液滴，小液滴互相聚合形成大液滴，并且共熔体液滴作为端部不断吸收粒子和小的液滴，最后因为过饱和而凝固形成纳米线或纳米管。 8.2 气-液-固(VLS)生长机制 8.2 气-液-固(VLS)生长机制 气相还原物首先溶于液相，然后由液相析出固相使晶体生长。在表面上加一些不挥发性液体即催化剂，它们不跟反应物或生成物作用，但能形成中间相溶解这些元素。在这流动的液相中，得到的蒸气压几乎比同样条件下不加催化剂时高一百倍。这就是液相催化的基本原理，它包含了气-液-固生长机制的基本思想。 8.2 气-液-固(VLS)生长机制 VLS机理是在蒸气相和生长的晶体之间存在液相。 这种液相催化和所谓的VLS机制在晶须生长中是一种普遍的现象。20世纪60年代Kaldis对此作了广泛的评价。 VLS生长出来的晶须的顶端呈半球形，很像是液滴固化时的形状，这一般看成是VLS机制的有力实验证据。 8.2 气-液-固(VLS)生长机制 Bi-Cd低共熔合金中铋的含量 (144?C时，含60％重量的铋) VLS机制的实验证明 金属铋为催化剂 六方柱状的镉单晶，其顶部呈半球形，很象是液滴固化时的形状。 电子探针定量分析：球表面含有57.7士1.2％(重量)的铋 镉单晶的气相生长 ? 纳米团簇催化法制备纳米线方案 示意图 常见纳米棒、纳米线的CVD合成 Lieber 1、根据相图选择一种能与纳米线材料形成液态合金