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脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼光谱的影响 169 脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼 光谱的影响 of on SilicaFilmRaman Effect Porous DutyCycle Spectra 杨沁玉1’2，刘磊2，丁可2，张菁2，王庆瑞1 YANG Lei2，DINGKe2，ZHANG Qin—yul”，LIU Jin92，WANG Qing—ruil (1Materials 201620。 College，DonghuaUniversity，Shanghai China；2Science 201620，China) College，DonghuaUniversity，Shanghai 摘要：用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法，以硅烷为源气体，在玻璃基片上沉积得到多孔的氧化硅薄膜。将 反应过程中加在沉积区域的脉冲负偏压固定在一300V，当占空比从0．162增大到0．864时，薄膜样品的结构、形貌均不 相同。拉曼光谱显示，位于480cm．1附近的峰在低占空比条件下存在，但是当占空比升高到0．702时该峰基本消失。位 于560cm-1附近的峰则随着占空比的继续升高而增强，并出现蓝移，这说明薄膜样品中的非晶硅在占空比升高时消失， 氧化硅所占比例不断增加，同时颗粒变小。扫描电镜照片也表明，组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻 并且薄膜整体变得蓬松多孔。 关键词：占空比I拉曼光谱；多孔氧化硅 中围分类号：0539文献标识码：A 文章编号：1001-4381(2008)10—0169—04 Abstract：Poroussilicafilmswere enhancedchemical preparedbyplasma vapor and modulated bias silaneas from system bypulsenegativevoltage precursorgas．Duringdutycycle 0．162to0．864 bias at一300V，theRaman andmicrostructureofthesam— maintainingvoltage spectra were wasfoundthatRaman at480cm一1and560cm一1 pies investigatedintensively．It peakappeared whilethe of480cm一1weakenedandthatof560cm一1 andblueshiftwiththe intensity peak strengthened that when increaseof indicated silico