半导体材料（张源涛）5.1-5.2.pdfVIP

下载本文档

65
0
约4.49万字
约 83页
2017-07-13 发布于浙江
举报
版权申诉

半导体材料（张源涛）5.1-5.2.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第5 章硅外延生长第5 章硅外延生长吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第5章硅外延生长第5章硅外延生长 5-1、外延生长概述 5-2、硅的气相外延生长 5-3、硅外延层电阻率的控制 5-4、硅外延层的缺陷 5-5、硅的异质外延吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 5-1、外延生长概述外延生长的定义外延生长的分类发展外延生长的动机外延生长的特点及要求吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料外延的定义在一定条件下，通过一定方法获得所需原子，并使这些原子有规则地排列在衬底上；在排列时控制有关工艺条件，使排列的结果形成具有一定导电类型、一定电阻率、一定厚度的晶格完美的新单晶层（0.5~20μm ）的生成过程。在一定条件下，在单晶衬底上生长一层合乎要求的单晶层的方法。 Epitaxy 外延层 epi: upon taxy: orderly, arranged 衬底新生单晶层按衬底晶相延伸生长，称为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料外延生长分类衬底类型生长方法相变过程同质外延直接外延气相外延异质外延间接外延液相外延固相外延吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料外延层与衬底为同种材料：Si-Si, GaAs-GaAs 外延层和衬底为不同种材料：Sapphire-Si, GaAs-GaAlAs 失配位错