半导体材料（张源涛）第一章.pdfVIP

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2017-07-13 发布于浙江
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半导体材料（张源涛）第一章.pdf

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第1章硅和锗的化学制备第1章硅和锗的化学制备吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第1章硅和锗的化学制备第1章硅和锗的化学制备 1-1 硅和锗的物理化学性质 1-2 高纯硅的制备 1-3 锗的富集与提纯吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料一、硅和锗的物理性质比较性质硅（Si ）锗（Ge ）原子序数 14 32 3 22 22 原子密度(个/cm ) 5.22×10 4.42×10 晶体结构金刚石型金刚石型晶格常数(nm) 0.5431 0.5657 熔点(℃) 1417 937 介电常数 11.7 16.3 禁带宽度(eV) 1.12 0.67 电子迁移率(cm2/V⋅s) 1350 3900 空穴迁移率(cm2/V⋅s) 480 1900 本征电阻率Ω⋅cm 2.3×105 46.0 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料二、硅和锗的化学性质室温下性质较稳定，不溶于单一的强酸，只能与强碱及氟化物反应。 Si+2F ═SiF ↑ 2 4 Si+4HF ═SiF ↑+ 2H ↑ 4 2 Si+2NaOH+H O ═Na SiO +2H ↑ 2 2 3 2 高温下化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢、碳、氮气、硫及熔融金属发生反应。高温下硅与O 、H O反应生成SiO 。（平面工艺 2 2 2 掩膜）高温下硅与Cl 反应生成SiCl 。 2 4 高温下硅与HCl反应生成SiHCl3 。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料二、硅和锗的化学性质硅（锗）镁合金与无机酸或卤铵盐反应可制备硅（锗）烷(SiH 或GeH ) 。 4 4 Mg Si+4HCl ═SiH +2MgCl 2