半导体器件物理（陈占国）第二章 PN结.pptVIP

2.1 热平衡（无偏压） PN结 二、电场和电势分布： 【例2.2】计算PN结的空间电荷区宽度及内建电场。已知：Si PN结，T=300K，Na=1016cm-3，Nd=1015cm-3, ni=1.5×1010cm-3. 由（2-1-25）式可知： 空间电荷区主要位于低掺杂一侧。 （3）由 （2-1-16）式可知： PN结势垒虽然很小，但是结区的内建电场却很强，这是因为结区很薄的原因。 2.1 热平衡（无偏压） PN结 二、电场和电势分布： 【练习2.3】计算PN结的空间电荷区宽度及内建电场。已知：Si PN结，T=300K，Na=5×1016cm-3，Nd=5×1015cm-3, 零偏压。 求：xn、 xp、W、?m = ? 【练习2.4】计算PN结的空间电荷区宽度及内建电场。已知：GaAs PN结，T=300K，Na=5×1016cm-3，Nd=5×1015cm-3, 零偏压。 求：xn、 xp、W、?m = ? （4）单边突变结（one-sided abrupt junction） PN结一侧的掺杂浓度远远高于结的另一侧，这样的PN结称为单边突变结。 例如：结深很浅的扩散结可以近似看做单边突变结。 若Na Nd ，称为P+N结；若Nd Na ，称为PN+结. 2.1 热平衡（无偏压） PN结 以P+N结为例, ( NaNd )。 (a)空间电荷区宽度： (b)电场分布: (c)电势分布: （4）单边突变结（one-sided abrupt junction） Nd (a)空间电荷分布 P+ O xn -xp -Na Na Nd Nd - Na (b)电场分布 x x N ? ?m O (c)电势分布 x O 2.1 热平衡（无偏压） PN结 （5）线性缓变变结（Linearly graded junction） (a)空间电荷分布 P O -W/2 Nd - Na (b)电场分布 x x N ? ?m O (c)电势分布 x O W/2 + - (a) 空间电荷区分布： (b)电场分布: (c)电势分布: 结合边界条件 -W/2 W/2 设P侧中性区的电势为零。 W/2 -W/2 2.1 热平衡（无偏压） PN结 （5）线性缓变变结（Linearly graded junction） (a)空间电荷分布 P O -W/2 Nd - Na (b)电场分布 x x N ? ?m O (c)电势分布 x O W/2 + - (d)内建电势差: -W/2 W/2 另一种方法求内建电势差：以费米势为电势零点 W/2 -W/2 (e)空间电荷区宽度: 2.1 热平衡（无偏压） PN结 三、小结： 1. 结：由两种不同材料（绝缘体除外）形成的冶金学接触称为结。半导体结有同型同质结、同型异质结、异型同质结、异型异质结之分。 2. PN结类型（根据杂质分布）：（1）突变结：P区和N区杂质过渡陡峭的PN结。 （2）线性缓变结：P区和N区之间杂质过渡是渐变的PN结。 （3）单边突变结：一侧杂质浓度远远大于另一侧杂质浓度的突变结。 3. 说明PN结空间电荷区的形成过程。【要求两种方法（1）热平衡体系的费米能级恒定原理；（2）考虑载流子的扩散和漂移过程。】 4. 耗尽层近似：在空间电荷区，与电离杂质浓度相比，自由载流子浓度可以忽略，这种近似就是耗尽层近似。所以PN结空间电荷区又称为耗尽区。 5. 内建电势差：空间电荷区内存在内建电场，因而空间电荷区两侧存在电势差，称为内建电势差（常用ψ0 表示）。 2.1 热平衡（无偏压） PN结 三、小结： 6. 势垒区：由于内建电势差存在，N区电子通过空间电荷区进入P区需要克服势垒qψ0 , P区空穴进入N区也需要克服势垒qψ0 ，所以空间电荷区又称为势垒区。 7. 中性区：理想情况下，PN结空间电荷区外部区域不存在电场，常称为中性区。 8. 能够画出热平衡时PN结能带图。 9. 推导空间电荷区内建电势差公式：【要求两种方法（1）中性区电中性条件法；（2）费米能级恒定法。】 10. 要求会求解Possion方程，得到空间电荷区内建电场分布、内建电势分布、内建电势差的耗尽层宽度等。 2.2 加偏压的PN结 SCR的电阻电中性区的电阻，外加电压几乎直接降落在SCR上； 正偏（P侧接正极）时，SCR变窄，势垒高度降低，有助于载流子扩散通过PN结，产生大电流，正向导通； 反偏（ P侧接负极）时，SCR变宽，势垒高度增大，阻挡载流子通过PN结扩散，电流非常小，反向截止。 PN结具有单向导电性，或整流特性。 一、PN结的单向导电性： 加偏压下的PN结能带图 1. 正向偏压时，外加电压全部降落在SCR，外加电场方向与内建电场方向相反，SCR中的