半导体器件物理（陈占国）第五章 JFET 第六章.pptVIP

6.5 ＭＯＳＦＥＴ 一、基本结构和工作原理 图6-15 MOSFET的工作状态和输出特性：（ｂ）饱和之后 6.5 ＭＯＳＦＥＴ 二、MOSFET的I-V特性 图6-16 N沟道MOSFET 6.5 ＭＯＳＦＥＴ 二、MOSFET的I-V特性 图6-16 N沟道MOSFET的I-V特性 饱和区 线性区 6.6 MOSFET的等效电路和频率响应 一、等效电路图： 图6-20 MOSFET的小信号等效电路图 6.6 MOSFET的类型 6.6 MOSFET的类型 * * * * * * * * * * * * * * 第五章 结型场效应晶体管和金属—半导体场效应晶体管Chapter 5 Junction Field Effect Transistor (JFET) and Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET) JFET和MESFET的历史 1952年W. Shockley第一次提出JFET器件并对其特性进行了分析讨论，提出了Shockley模型。 1953年G. C. Dacey和I. M. Ross制造出第一只JFET。 C. A. Mead于1966年首次报道了MESFET器件模型。 1967年W. W. Hooper和W. I. Lehrer宣布制造出第一只MESFET。 一、JFET的物理本质： 1. JFET是一个由电压控制的可变电阻。 2. 用PN结作为栅结，控制两个欧姆结之间的电阻，从而实现两个欧姆结之间的电流控制。 二、JFET的特点： 属于单极器件。即只由多数载流子承担电流的输运。 三、MESFET与JFET的区别与联系： 将JFET的PN结用MS结代替作为栅结，就构成MESFET。 二者的工作原理基本相同。 引 言 5.1 JFET的基本结构和工作原理 一、JFET的基本结构： 二、几个概念： 1. 有源层：导电沟道，channel； 2. 沟道电流 (ID) ：漏极电流，漏电流； 3. 源极发射载流子；漏极收集载流子； G D S S D G 外延—扩散工艺 双扩散工艺 4. N沟道JFET：沟道电流为电子电流，(栅区为P+区）； 5. P沟道JFET：沟道电流为电子电流，(栅区为P+区）； 6. N沟道器件有更大的电导和速度。 5.1 JFET的基本结构和工作原理 三、JFET的基本工作原理： 栅极PN结反偏 G D S S D G SCR向沟道内部扩展 沟道截面积变小，电导变小。 可见：源漏之间流过的电流受栅极电压调制，这种通过表面电场调制半导体电导的效应，称为场效应。 5.1 JFET的基本结构和工作原理 三、JFET的基本工作原理： 1. VD由0开始增大时， 栅结SCR展宽，沟道漏极端变窄，长沟道近似下，认为沟道电导基本不变，ID 开始随VD线性增大； 2. VD = VP时，在x = L处，SCR在沟道内连通，连通区域内，载流子完全耗尽，称为沟道夹断； G D S S D G VG= 0的JFET特性 VD VP VD= VP 5.1 JFET的基本结构和工作原理 三、JFET的基本工作原理： 3.沟道夹断时的漏极电压，称为饱和漏电压，VDS； 4.沟道夹断后，夹断点处的电压称为夹断电压， VP； 5.沟道夹断后，再增加漏极电压，夹断点将向源极端移动，但夹断点的点位基本保持VP不变，因为继续增加的那部分漏极电压主要降落在连通的SRC上。 G D S S D G VG= 0的JFET特性 VD VP VD= VP 5.1 JFET的基本结构和工作原理 三、JFET的基本工作原理： 6.如果忽略沟道长度调制效应，沟道夹断后，漏极电流将不再增加而处于饱和状态。漏电压，VDS； 7.沟道夹断后的漏极电流称为饱和漏电流， IDS 。 G D S S D G VG= 0的JFET特性 VD VP VD= VP 5.1 JFET的基本结构和工作原理 四、JFET的优点： 电流传输为多子，不存在少子存储效应，因而有较高的截止频率和开关速度； 属于电压控制器件，输入电阻高，易于实现级间耦合，易于与标准微波系统匹配； 多子器件，所以抗辐射能力强； 多子器件，有更好的温度稳定性，更低的噪声； 与BJT和MOS工艺兼容，利于集成。 5.4 小信号参数和等效电路图 一、交流小信号等效电路图： 1. RS和RD：串联电阻。饱和工作区，RD的影响可忽略，但RS有负反馈作用，会降低漏极电流，应尽可能小，以至可忽略。 2. rgs和rgd ：栅源、栅漏扩散电阻。引起栅极泄漏电流，1pA~1nA，因此rgs和rgd 很大，108 Ω，可以忽略。 JFET交流小信号等效电路图 5.4 小信号参数和等效电路图 一、交流小信号等效电路图