半导体器件物理（陈占国）第九章 发光二极管和半导体激光器-2012.6.pptVIP

9.3.2 量子效率： 1. 注射效率γ 图9-12 带尾对带-带复合的影响 § 9.3 LED的特性参数 （9-3-4） 注射效率就是可以产生辐射复合的二极管电流 In 在二极管的总电流 I 中所占的百分比。 根据（9-3-4）式提高注射效率的途径是： (a) P区受主浓度要小于 N 区施主浓度，即N+P结。 (b) 减小耗尽层中的复合电流。这就要求LED所用的材料和制造工艺尽可能保证晶体完整，尽量避免有害杂质的掺入。 (c) 选用电子迁移率比空穴迁移率大的材料。由于III-V族化合物半导体的电子迁移率比空穴迁移率大很多，例如GaAs，所以它们是制造LED的上选材料。 9.3.2 量子效率： 1. 注射效率γ § 9.3 LED的特性参数 发生辐射复合的电子数与总的注入电子数比： （9-3-7） （9-3-6） （9-3-5） （9-3-8） 9.3.2 量子效率： 2. 辐射效率: § 9.3 LED的特性参数 图9-13 三种可能的复合过程 带—带复合过程和非辐射复合过程相竞争： 以 和 为竞争机制 ： （9-3-11） （9-3-10） 9.3.2 量子效率： 2. 辐射效率: § 9.3 LED的特性参数 根据（9-3-10）式，欲提高ηr ，可采用的方法是减少复合中心密度和增加P区的掺杂浓度Na，而且较高的Na还有降低串联电阻，从而减小正向电压降和欧姆损耗的作用。然而，高的掺杂浓度使得晶体缺陷增加，导致非辐射复合中心 Nt的增加。同时，在讨论注射效率时已经指出，P侧的高掺杂会使注射效率下降。以上分析已为实际所证实。实际证明，对于GaP LED，外部测得的峰值效率发生在 Na = 2.5 ×1017 cm-3 处。 9.3.2 量子效率： 2. 辐射效率: § 9.3 LED的特性参数 根据以上分析，内量子效率可以写作 （9-3-12） 3. 逸出几率 ： 逸出几率 也叫做出光效率，被定义为PN结辐射复合产生的光子射到晶体外部的百分数。 外量子效率可以写作： 9.3.2 量子效率： 2. 辐射效率: § 9.3 LED的特性参数 （9-3-13） 影响逸出几率的主要因素：界面反射和再吸收。 图9-14 LED中的全反射和临界角 9.3.2 量子效率： 2. 逸出几率 : § 9.3 LED的特性参数 图9-18 圆顶状LED结构 9.3.2 量子效率： 2. 逸出几率 : § 9.3 LED的特性参数 Page 310 习题：9-2，9-3，9-4，9-5 第九章作业 衷心感谢孟庆巨教授给予的热心指导与帮助！ 衷心感谢陈长鸣博士付出的艰辛劳动！ 衷心感谢王谦同学不辞辛苦，热心的服务与帮助！ 衷心感谢大家积极地提问和讨论，时刻对我的鞭策！ 祝愿大家取得好成绩！ 致 谢 半导体器件物理与实验——国家级精品课程 第九章 发光二极管和半导体激光器 半导体器件物理与实验——国家级精品课程 1907年：Round发现电流通过硅检波器时有黄光发生1923年：Lossev在碳化硅检波器中观察到类似现象1955年：Braunstein首次在III-V族化合物中观察到辐射复合1961年：Gershenzon观察到磷化镓PN结发光1962年：砷化镓发光二极管和激光器研制成功1970年：砷化镓-铝镓砷激光器实现室温连续 第九章 发光二极管和半导体激光器 §9.1 辐射复合与非辐射复合 §9.1 辐射复合与非辐射复合 教学要求： 了解文中所述辐射复合和非辐射复合过程。 阅读§9.4.1说明在GaP LED中N和Zn-O 对复合体的作用。 在复合过程中电子多余的能量可以以辐射的形式（发射光子）释放出来，这种复合称为辐射复合，它是光吸收的逆过程。 在复合过程中电子的多余能量也可以以其它形式释放出来，而不发射光子，这种复合称为非辐射复合。 发光器件利用的是辐射复合过程，非辐射复合过程则是不利的。了解半导体中辐射复合过程和非辐射复合过程是了解光电器件的工作机制和进行器件设计的基础。 §9.1 辐射复合与非辐射复合 9.1.1辐射复合： 1. 带间辐射复合： 带间辐射复合是导带中的电子直接跃迁到价带与价带中的空穴复合。发射的光子的能量接近等于半导体材料的禁带宽度。由于半导体材料能带结构的不同，带间