半导体器件物理（陈占国）第七章 电荷转移器件.pptVIP

第七章 电荷转移器件Charge-Transfer Devices—CTD 电荷耦合器件 Charge Coupled Devices—CCD 斗链器件 Bucket-Brigade Devices—BBD 电荷转移器件——CTD的基本原理 CTD的核心是MOS电容的有序阵列加上输入与输出部分。在栅电极加上时钟脉冲电压时，在半导体表面就形成了能存储少数载流子的势阱。用光或电注入的方法把代表信号的少数载流子注入势阱中。通过时钟脉冲的有规律变化，使势阱的深度发生相应的变化，从而使注入势阱中的少数载流子在半导体表面内作定向运动，再通过对少数载流子的收集和再生得到信号的输出。 §7.1 电荷转移 §7.1 电荷转移 一、电荷转移原理 二、电荷耦合器件——CCD在器件级基础上的电荷转移结构是通过电荷耦合器件——CCD实现的。在CCD中，少数载流子存储于建立在半导体表面的势阱中。这些载流子通过依次填充和排空一系列势阱沿着表面输运。在它的最简单形式中，CCD是一串紧密排布的MOS电容器，如图7-2的情形所示。 二、电荷耦合器件——CCD 小结： CTD的核心是MOS电容的有序阵列(arrays)加上输入与输出部分。在栅电极加上时钟脉冲电压时，在半导体表面就形成了能存储少数载流子的势阱。用光或电注入的方法把代表信号的少数载流子注入势阱中。通过时钟脉冲的有规律变化，使势阱的深度发生相应的变化，从而使注入势阱中的少数载流子在半导体表面内作定向运动，再通过对少数载流子的收集和再生得到信号的输出。 §7.2 深耗尽状态和表面势阱 教学要求： 1.　了解深耗尽状态及其物理过程。 2.　导出深耗尽状态下的空间电荷区厚度公式（7-2-7），以及表面势与栅极电压的关系式（7-2-8）和（7-2-9）。 §7.2 深耗尽状态和表面势阱 CCD是利用在MOS结构栅极下使半导体表面形成深耗尽状态进行工作的。 深耗尽状态：当VG2φf时，要达到表面反型层需要有一个过渡过程。在此过渡过程中，半导体处于非热平衡状态—深耗尽状态。这一弛豫过程所需的弛豫时间约为 在深耗尽状态中，栅极的正电压排斥P型衬底中的空穴，使半导体表面形成由电离受主构成的负的空间电荷区。空间电荷区为耗尽层。由于不是处于热平衡状态，耗尽层不受热平衡时的最大厚度的限制，而直接由栅压VG的大小来决定。这时表面势也不受形成强反型层时ψs=2φf的限制，也直接由VG 的大小来决定。在深耗尽状态，耗尽层厚度XdXdm，表面势ψs2φf ，所以称之为深耗尽状态。 §7.2 深耗尽状态和表面势阱 深耗尽状态下的SCR厚度和表面势： 1. 理想MOS结构： §7.2 深耗尽状态和表面势阱 为简便起见，引入 §7.2 深耗尽状态和表面势阱 【例】P－Si衬底，Na= 5×1014cm-3，xo=150nm，氧化层中正电荷的密度 Qo= 1012cm-2，金属电极为Al的MOS结构。当 VG=16V 时，计算得：Vi=0.16V，ψs≈15V。显然ψs 2φf，在非热平衡状态，表面处于深耗尽状态。 小结： 1. 热平衡MOS表面强反型层的建立需要经过一段弛豫时间，而不是当VGVTH时立即形成的。达到表面强反型层需要有一个过渡过程。在此过渡过程中，半导体处于非热平衡状态，即为深耗尽状态。由于不是处于热平衡状态，耗尽层厚度不受热平衡时的最大厚度的限制。耗尽层厚度将大于xdm，表面势ψs 也将远大于2φf ，所以称之为深耗尽状态。 2. 在深耗尽状态下： §7.3 MOS电容的瞬态特性 教学要求： 1.正确画出深耗尽状态下的能带图7-3b。 2.了解从深耗尽状态到平衡态的物理过程。 3.导出公式（7-3-4）和（7-3-7）。 图 7-3 MOS 电 容 器