省电型32KLXT振荡电路的起振时间及注意事项.PDFVIP

省电型32K LXT 振荡电路的起振时间及注意事项 省电型32K LXT 振荡电路的起振时间及 注意事项 文件编码：AN0316S 简介 由于手持产品、绿色家电、居家安防等低功耗产品的需求，盛群提供设计者采用TinypowerTM 架构技术，可降低微控制器消耗电流的单片机产品。此系列单片机内建更省电的32.768kHz 外部低速晶振电路。下文将介绍如何在省电的前提下，让振荡电路的起振时间缩短。 注：以上所称省电型单片机包含以下产品：HT67F30 、HT67F40 、HT67F50 、HT67F60 、 HT45F23A 、HT45F33 、HT69F20 、HT69F30 、HT69F50 。 功能说明 1. 在此系列单片机中，其32.768kHz 晶振快速起振的功能是由TBC 寄存器中的LXTLP 位 来设定的。系统上电时，为缩短 32.768kHz 晶振起振时间，请在程序中设定为LXTLP 位为快速起振，以缩短起振时间。LXTLP=0 为32.768kHz 晶振快速启动，LXTLP=1 为 低功耗。 1 省电型32K LXT 振荡电路的起振时间及注意事项 2. 此系列单片机外部 32.768kHz 晶振的引脚连接到XT1 及XT2 ；其内部振荡电路无内建 RC ，所以Rp 、C1、C2 都需要外加，而其最适当的阻值及容值请参阅所选用的晶振的 规格书。其振荡电路如下图： 3. Rp 主要是用来建立振荡器的工作点。建议值为5MΩ~10MΩ。 4. C1 和C2 用于与振荡器匹配，以得到最精确的振荡频率，或是较短的起振时间。适度选 择容值较小的C1/C2，可以缩短起振时间。以不同电容值下的起振波形作为参考： 测试条件：VDD =3.3V ，晶振CL =12.5pF ，Rp=10MΩ。 CH1：VDD CH2：XT2 起振时间约 1200ms C1 = C2 = 22pF CH1：VDD CH2：XT2 起振时间约600ms C1 = C2 = 10pF 2 省电型32K LXT 振荡电路的起振时间及注意事项 Crystal CL RP C1/C2 LXTLP 振幅稳定时间 测试条件 VDD (V) Spec. (pF) (Ω) (pF) Flag (ms) 1 3.3 12.5 10M 22 0 约1200 2 3.3 12.5 10M 10 0 约600 5. 单片机的工作电压跟32.768kHz振荡器的起振时间也有关系，其电压越低，起振时间越 长。以不同电压下的起振波形作为参考： 测试条件：C1 = C2 = 10pF，Rp=10MΩ，晶振CL =12.5pF