ZnO 薄膜的掺杂及其结型材料的研究进展.PDF

前沿进展 ’( 薄膜的掺杂及其结型材料的研究进展! 段! 理! ! 林碧霞! ! 傅竹西) （中国科学院结构分析开放实验室! 中国科学技术大学物理系! 合肥! #$$#* ） 摘! 要! ! ’( 薄膜作为一种多用途的半导体材料，一直受到国内外学术界的广泛关注+ 尤其是自%,,- 年发现 ’( 薄膜的室温紫外光发射以来，’( 薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点+ 几年来，研究进展非 常迅速，已报道了结型电致发光器件和光电探测器件的初步研究结果+ 文章结合作者的工作，综述了目前国内外对 ’( 薄膜的掺杂以及’( 异质结和同质. / ’ 结制备方面的研究状况+ 关键词! ! 氧化锌薄膜，. 型掺杂，. / ’ 结，异质结 !#$%’() %* +,)- !%.(/ 0(! +,1 23(4).%(5 %* 61% *.$’ 0123 45! ! 463 75895:! ! ;1 =895) （!#$%’ ($)*%$+*%, ，-$./0$ 1020$ ，34 $%+/2+ *5 6’,#0# ，7208%#0+, *5 102 $2. 9’2*:*;, *5 ’02$ ，=5 0 #$$#* ，’02$ ） 0789:;9= = ’( 5?@ ，:A : @=?B58=AC AC@5DE’F=DBEG @:BCG5:? ，:A ?E’H :BBG:DBCF @=D :BBC’B5E’+ I5’DC BC F5ADEJCGK E BC 1L ?=@5’CADC’DC E ’( 5?@A 5’ %,,- ，BC5G .GC.:G:B5E’ :’F BC 5’JCAB5H:B5E’ E BC5G .EBE8C8 ?CDBGE’5D .GE.CGB5CA :JC MCDE@C : ’CN EBA.EB+ OCDC’B?K ，GCA=?BA E AB=F5CA E’ C?CDBGE?=@5’CADC’DC GE@ P=’D8 B5E’ FCJ5DCA :’F .EBEC?CDBGE’5D FCBCDBEGA :JC MCC’ GC.EGBCF+ Q5A :GB5D?C A=@@:G5RCA BC GCAC:GD E’ ’( 5?@A ，5’D?=F5’H BC 5’JCAB5H:B5E’ E ’( CBCGEP=’DB5E’A :’F E@EHC’CE=A .8’ P=’DB5E’A+ ?@AB:C8= = ’( 5?@ ，.8BK.C FE.5’H ，.8’ P=’DB5E’ ，CBCGEP=’DB5E’ 还可以作紫外光探测器和太阳能电池+ %! 引言 在’( 光电特性的研究中，制备结型器件是 短波长光电子材料和器件一直是人们关注的研 ’( 薄膜实用化的关键+ 因此，. / ’ 结的研究成为 该领域中的重要研究内容+ 通常在制备’( 材料的 究课题，因为它对于提高光通信的带宽和光信息的 过程中会产生氧空位和锌填隙原子，这些缺陷使 记录密度有非常重要的作用+ 因此 %,,T 年 Y:3 蓝 ［ ］ ’( 呈’ 型导电性，所以’ 型掺杂较容易实现 + 光材料兴起时就引起了学术界广泛重视+ %,,- 年 后，人们发现 ’( 薄膜具有