非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学性能研 究参考.pdfVIP

高新技 术 N——— 20—16—N0．～10(．k．) ewTechnology＆NewProductsofChina■口■■盔■■盈■●■露—■●圃——■■_ 非品铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学性能研究 郭晓晴 (苏州大学电子信息学院，江苏 苏州 215000) 摘 要：非晶态氧化物半导体材料因其优良的性能而发展迅速，而j}晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 (a—IGZOTFT)更是 凭借其电学特性的优良以及高可见光透过率而成为研究的热点。本文综述了a—IGZOTFT与非晶硅TFT(a—Si：H)在载 流子迁移率、亚阈值摆幅等电学特性方面产生较大差异的原因，并且探究了a—IGZOTFT的沟道宽度对其电学性能的影 响 。 关键词：~-iGzoTFT；电学特性；沟遭宽度 中图分类号：TN321 文献标识码 ：A 随着显示技术，尤其是平板显示技 移特性曲线的关系，即 个硅空位，会在靠近带隙的地方形成一 术的飞速发展，薄膜晶体管作为显示像 个不成对电子的悬挂键，可以作为电子 素控制电路核心器件，它的特性和制备 = · · · I。～ (2) 陷阱或者空穴陷阱，因此增加了表面陷 工艺等问题已经成为显示技术领域的 阱。所以对于非晶硅来说，亚阈值摆幅 核心问题之一。自进入2O世纪90年代， 提取载流子迁移率，单位为cn2^r·S。 比较大。氧化物半导体中氧空位的形成 LCD正式进入高分辨率高清晰度以及全 亚阈值摆幅ss是利,~[aqogx,)／ovo]～，对 只能作为浅施主能级，但是不能作为陷 彩色图像显示的新阶段 ，有源矩阵薄膜 亚阈值区转移曲线进行微分得到，并且 阱存在 ，降低了亚阈值摆幅，因而有效 晶体管液晶显示技术在人们生活中起着 选择其中的最小值作为最终结果。 地提高了器件的开关速度。 越来重要的作用，其不断推进着技术的 实验利用Agilent4156C精密半导体 a—IGZOTFT缺陷密度比较小，禁带 高速发展。有源矩阵液晶显示技术以其 参数测试仪在Vector(MX一1IOOB)上测 宽度 比较大，所 以其泄漏 电流小，开关 高清晰度 ，大容量、功耗低而成为液晶 试器件的特性曲线数据。 电流比大。而且有学者研究表明IGZO薄 的主导技术，同时也是研发的热点。 1．1a—IGZOTFT和a—Si：HTFT电学 膜有较高的电阻率，这也可能会使其泄 目前使用最广泛的a—Si：HTFT具有 性能的比较研究 漏 电流降低。 载流子迁移率低等缺点，难 以实现高清 实验 中用到的a—Si：HTFT是采用 1．2沟道宽度对a—IGZOT阳电学特性 晰度和高分辨率，而a—IGZOTFT作为 传统的底栅交错型结构，’制作在玻璃衬 的影响 一 种新型氧化物半导体材料，具有较高 底上，栅绝缘层为SiN，厚度为35Ohm， 实验中使用的a—IGZOTFT制备工艺 的载流子迁移率 ，较大的禁带宽度，较 非晶硅沟道层厚度为120nm。a—IGZO器 与上述实验相同，沟道长度均为10~tm， 好的延展性 ，因此广泛地被研究。同时 件采用的是底栅顶接触结构，栅绝缘层 沟道宽分别为101am，20gm，50Pm。 a—IGZOTFT的制备工艺较为简单，其与 厚度20nm。本实验中两种器件的宽长比 对于低漏端电压 ，较小的沟道宽度 现有设备的兼容性 良好，非常具有代替 WL／均为1O 1／10№ ，如图1所示。 发生变化时，阈值电压变化不明显，但 非晶硅材料的潜力。 由表1可以看出，a—IGZOTFT的载流