我校磁性掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3 研究取得进展 - 量子功能材料设计与.PDF

我校磁性掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3 研究取得进展 近年来，拓扑绝缘体因其独特的物理性质及良好的应用前景在凝聚态物理和 材料科学领域引起了广泛的研究兴趣，尤其是三维拓扑材料Bi Se 族材料备受关 2 3 注。由于具有非平庸的自旋和磁电特性，拓扑绝缘体有望在自旋电子学和拓扑量 子计算等领域得到应用。然而，要实现这些关键应用的先决条件是在拓扑绝缘体 中保持拓扑序的同时引入铁磁序或者超导序。科学家预言通过对Bi Se 族材料进 2 3 行磁性掺杂可以引入铁磁序，有可能观测到量子化的反常霍尔效应，从而为拓扑 绝缘体在器件方面的应用创造可能性。磁性掺杂Bi Se 族材料的实验研究近年取 2 3 得了突破性进展，然而对于过渡金属掺杂拓扑绝缘体材料的稳定性仍缺乏系统的 研究，实验上对铁磁性的报道也存在争议。因而系统地理解磁性原子在拓扑绝缘 体中的形成难易程度，存在状态，以及其对体系的电子结构、磁学性质等的影响 成为亟待解决的课题。 近年来，姚裕贵教授研究组和和合作者发展了判断材料是否拓扑绝缘体的第 一性原理方法 【Comp. Phys. Comm. 183, 1849 (2012) 】，并先后预言了在 Half-Heusler 化合物 【Phys. Rev. Lett. 105, 096404 (2010); Phys. Rev. B 82, 235121 (2010) 】和Chalcopyrite 化合物 【Phys. Rev. Lett. 106, 016402 (2011)】中存在大量 的拓扑绝缘体材料，以及硅烯可能实现量子自旋霍尔效应 【Phys. Rev. Lett. 107, 076802 (2011) 】。此外，还预言了二元半导体InSb 在合理的应变范围内可以转变 成拓扑绝缘体 【Phys. Rev. B 85, 195114 (2012) 】。此外，姚裕贵教授应邀撰写了 一篇综述文章，介绍了理论上寻找拓扑绝缘体新材料的一般方法，回顾了三维拓 扑绝缘体材料方面的研究进展 【Sci. China-Phys. Mech. Astron. 55, 2199 (2012) 】。 在上述研究工作基础上，最近北京理工大学物理学院姚裕贵教授及其博士生 张健敏（中国科学院物理研究所）与美国橡树岭国家实验室的朱文光博士、肖笛 博士等合作，通过第一性原理计算方法，系统地研究了Bi Se 中的3d 过渡金属 2 3 磁性原子（V, Cr, Mn 和Fe ）掺杂，包括掺杂体系的材料稳定性、电子结构特性 以及磁学性质等。他们发现引入的磁性原子在Bi Se 材料中倾向于替代位稳定存 2 3 在，而非实验猜测的间隙存在。同时阐明了本征生长条件下Bi Se 材料的载流子 2 3 类型及其具体诱因，这一结果为实验发现提供了合理的解释，也为实验上制备出 真正绝缘的拓扑材料提供了有力的指导。其次，该工作系统评估了不同磁性原子 的掺杂难易并给出了各种磁性原子掺杂的最优生长条件，以及不同掺杂原子在母 体中的稳定价态，同时预测了各种掺杂原子的有效掺杂浓度。他们发现，V 和 Cr 较Mn 和Fe 更容易自发形成掺杂，Mn 和Fe 的掺杂浓度比较有限。在极端n 型载流子环境下引入V, Cr, Mn 和Fe 容易使掺杂原子形成受主，而大部分载流 子环境下V, Cr, Mn 和Fe 均倾向于中性替代，这对寻找铁磁绝缘体十分有利。 该小组随后进行了电子结构研究，计算结果显示，V 和Mn 掺杂的Bi Se 呈现金