第15章 基本放大电路(下).pptVIP

场效应晶体管是电压控制元件，它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，它的输入电阻很高，可高达109～1014欧姆。 15.9 场效应晶体管及其放大电路 场效应晶体管的外形与普通晶体管相似，但二者控制特性却截然不同。 普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流的目的，信号源必须提供一定的电流才能工作，它的输入电阻低，约为102～104欧姆。 场效应晶体管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应晶体管的分类： 1.1 结构示意图 1. 增强型绝缘栅场效应管 N沟道 N+ N+ P型硅衬底 源极 S 漏极 D 栅极 G SiO2绝缘层 P沟道 P+ P+ N型硅衬底 源极 S 漏极 D 栅极 G SiO2绝缘层 注意：栅极和其它电极及衬底之间是绝缘的，所以称为绝缘栅场效应管，或称Metal Oxide Semiconductor，简称 MOS场效应管。由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，栅源电阻（输入电阻）RGS很高，最高可达1014?。 N+ N+ P型硅衬底 S D G + - UGS ● UDS + - 当UGS=0时 相当于 两个反接的PN结 ID=0 1.2 工作原理 （以N沟道为例说明） N+ N+ P型硅衬底 S D G + - UGS ● UDS + - ID 垂直于衬底表面产生电场 电场吸引衬底中 电子到表层 电子填补空穴 形成负空间电荷区 当UGS0时 N沟道 沟通源区与漏区 与衬底间被耗尽层绝缘 耗尽层 N+ N+ P型硅衬底 S D G + - UGS ● UDS + - ID N+ N+ P型硅衬底 S D G + - UGS ● UDS + - ID 导电沟道形成后， UDS越大，ID越大。 UGS越大，电场越强，沟道越宽，沟道等效电阻越小。 1.3 特性曲线 转移特性曲线 开启电压： 当UGSUGS(th)时， 导电沟道还没有形成，ID≈0； 当UGSUGS(th)时， 导电沟道已形成， 随着UGS的增大， ID也增大。 ID UGS O UGS(th) 无沟道 有沟道 输出特性曲线 ID UDS UGS=1V 2V 3V 4V 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 1.1 结构特点（以 N沟道为例） N+ N+ P型硅衬底 源极 S 漏极 D 栅极 G SiO2绝缘层 在制造管子时，即在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，因而在两个 N+区之间感应出许多电子，形成原始导电沟道。 + - UGS ● UDS + - ID N+ N+ P型硅衬底 S D G 由于有原始导电沟道的存在，当UGS=0时，在UDS的作用下，也会有电流ID。 1.2 工作特点 N+ N+ P型硅衬底 S D G + - UGS ● UDS + - ID 当UGS0时，UGS越大，导电沟道越宽，等效电阻越小，在同样的UDS作用下，ID也就越大。 当UGS0时，UGS负值越大，导电沟道越窄，等效电阻越大，在同样的UDS作用下，ID也就越小。 N+ N+ P型硅衬底 S D G - + UGS ● UDS + - ID N+ N+ P型硅衬底 S D G - + UGS ● UDS + - ID 当UGS小于某一负值时，导电沟道被夹断，这时不管UDS为多大，ID=0。 1.3 特性曲线 转移特性曲线 夹断电压： 当UGSUGS(off)时， 导电沟道被夹断，ID≈0； 当UGSUGS(off)时， 随着UGS的增大， ID也增大。 ID UGS O 无沟道 有沟道 UGS(off) IDSS 漏极饱和电流 输出特性曲线 ID UDS UGS=-2V -1V 0V 1V 3. 电路符号 G S D N沟道增强型 G S D P沟道耗尽型 G S D N沟道耗尽型 G S D P沟道增强型 4. 主要参数 参数 符号 漏极饱和电流 IDSS (?A) 栅源夹断电压 UGS(off) (V) 开启电压 UGS(th) (V) 栅源绝缘电阻（输入电阻） RGS (?) 共源小信号低频跨导 gm (?A/V) 最高漏源电压 UDS(BR) (V) 最高栅源电压 UGS(BR) (V) 最大耗散功率 PDM (mW) PD= UDSID 共源小信号低频跨导：gm (?A/V、 mA/V) gm表征场效应管UGS对ID控制能力的大小，也表明场效应管是电压控制元件。 特别说明 双极性晶体管 场效应管 类型 NPN型或PNP型 N沟道或P沟道 载流子 （电子、空穴） 两种载流