高压场效应管的建模.pdfVIP

目 录 摘 要……………………………………………………l 引 言……………………………………………………3 BCD工艺关键技术简介………………………………………4 BCD工艺的基本要求………………………………．………．4 国内外相关领域的研究发展…………………………………．4 器件SPICE模型简介………………………………………．6 本文的工作………………………………………………7 第一章DMOS器件工艺………………………………………．10 $1．1普通MOS器件………………………………………．．10 $1．2DMOS与普通MOS器件工艺比较…………………………．．10 第二章LDMOS模型的假设……………………………………．14 $2．1实验数据收集………………………………………．14 $2．2特性分析…………………………………………．．17 第三章LDMOS模型建立………………………………………20 $3．1漂移区电阻分析……………………………………．．20 $3．2沟道区和漂移区电阻的计算…．、………………………．．2l $3．3器件模型的建立………………………