九十二学年度第一学期半导体雷射期末报告 - 郭艳光.docVIP

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2017-08-16 发布于天津
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九十二年度第一期半雷射期末告量子井雷射之特性分析班光一姓名尚指教授郭光博士告日期目前言材料系之特性介一的探分析的特性探以及力和成分之的分析探元件之展一量子井雷射之早期展二量子井雷射之近期概三量子井雷射之特殊考文壹前言在光通信的系中和的雷射光源是不可或缺的性元件因在石英光的光中他分提供了最低的光色散失真以及最小的能量失然而的以及的通用雷射二主要以主要材料然其元件的光特性良好但抗性差往往需要降低操作度因而增加成本近年以材料主的雷射二不需要主式散板可得到的光特性有逐取代此材料主集了相的理和文此材料系做

九十二學年度第一學期半導體雷射期末報告 AlGaInAs量子井雷射之特性分析與結構設計班級：光碩一學號姓名：謝尚衛指導教授：郭艷光博士報告日期：2003/01/06 目錄前言…………………………………………………….2 AlGaInAs材料系統之特性簡介……………………...2 一、 Band offset ratio的探討與分析………………………2 Bowing parameter的特性探討……………………….3 Band-gap energy以及應力和成分之間的分析探討…4 AlGaInAs元件設計之發展…………………………...5 一、 AlGaInAs量