模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结.docVIP

半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。 在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。 在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。 二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。 稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ 。 二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。 三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=IC / IB (或IC=β IB)和开关作用. 10、当输入信号Ii 很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。 11、失真有三种情况: ⑴截止失真原因IB、IC太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。调小RB，以增大IB、IC，使Q点上移。 ⑵饱和失真原因IB、IC太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。调大RB，以减小IB、IC，使Q点下移。 ⑶信号源US过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。 1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。 共射电路的输出电压U0与输入电压UI反相，所以又称反相器。 共集电路的输出电压U0与输入电压UI同相，所以又称同相器。 差模输入电压Uid=Ui1-Ui2 指两个大小相等，相位相反的输入电压。（是待放大的信号） 共模输入电压UiC= Ui1=Ui2指两个大小相等，相位相同的输入电压。（是干扰信号） 差模输出电压U0d 是指在Uid作用下的输出电压。 共模输出电压U0C是指在 UiC作用下的输出电压。 差模电压放大倍数Aud= U0d / /Uid是指差模输出与输入电压的比值。 共模放大倍数Auc =U0C /UiC是指共模输出与输入电压的比值。（电路完全对称时Auc =0） 共模抑制比KCRM=Aud /Auc是指差模共模放大倍数的比，电路越对称KCRM越大，电路的抑制能力越强。 差分电路对差模输入信号有放大作用，对共模输入信号有抑制作用，即差分电路的用途：用于直接耦合放大器中抑制零点漂移。（即以达到UI =0，U0=0的目的） 4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数AU和输入输出电阻Ri ，R0 。 功率放大器的主要指标要求是（1）输出功率大，且不失真；（2）效率要高，管耗要小，所以功率放大电路通常工作在甲乙类（或乙类）工作状态，同时为减小失真，采用乙类互补对称电路。为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。 多级放大电路的耦合方式有： 直接耦合：既可以放大交流信号，也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号； 耦合过程无损耗。常用于集成电路。但各级工作点互相牵连，会产生零点漂移。 阻容耦合：最大的优点是各级工作点互相独立，但只能放大交流信号。耦合过程有损耗，不利于集成。 变压器耦合：与阻容耦合优缺点同，已少用。 射极输出器特点：如图F-a（为共集电路，又称同相器、跟随器） ① 电压放大倍数小于近似于1， UO 与Ui同相。 ② 输入电阻很大。 ③ 输出电阻很小，所以带负载能力强。 反馈是指将输出信号的一部分或全部通过一定的方式回送到输入端。 反馈有正反馈（应用于振荡电路）和负反馈（应用于放大电路）之分。 反馈有直流反馈，其作用：稳定静态工作点。 有交流反馈，其作用：改善放大器性能。包括：①提高电压放大倍数的稳定度；②扩展通频带； ③减小非线性失真；④改善输入输出电路。 反馈放大电路的基本关系式：Af =A /（1+AF），其（1+AF）称反馈深度，当（1+AF）远远大于是1时为深度负反馈，其Af =1/ F，即负反馈后的放大倍数大大下降，且仅由反馈网络参数就可求放大倍数，而与运放器内部参数无关。 负反馈有四种类型：电压串联负反馈；电压反馈可减小输出电阻，从而稳定输出电压。 电压并联负反馈； 电流串联负反馈；电流反馈可增大输出电阻，从而稳定输出电流。 电流并联负反馈