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电压衬度在cmos集成电路失效分析中的应用!.pdf
工艺与制造IPr。cessandFabricati。n
M
电压衬度在C OS集成电路
失效分析中的应用
马香柏
206)
(上海华虹宏力半导体制造有限公司，上海201
摘要：电压衬度(Voltage
衬度主要利用二次电子的发射效率与样品表面电势相关的原理。通过数据分析、电学测试等流程
缩小搜索范围，再利用电压衬度原理进一步缩小范围，通过FIB精准定位缺陷并进行剖析，最终
找到失效根源。作者探讨电压衬度原理，并通过具体案例，对电压衬度分析在扫描电子显微镜
Electron Ion
(ScanningMicroscope，SEM)以及聚焦离子束(Focusedbeam，FIB)的运用作了
详细阐述。
关键词：电压衬度；二次电子；失效分析
中图分类号：TN405文献标识码：A文章编号：1674-2583(2017)05—0064-04
0．1 674-2583．2017．05．015
DOI：1
9339／j．issn．1
中文引用格式：马香柏．电压衬度在CMOS集成电路失效分析中的应用[J】_集成电路应用，2017
34(5)：64-67．
of ContrastinCMOSIC‘S
ApplicationVoltage
Failure
Analysis
MA
Xiangbai
GraceSemiconductor 201
(HuaHong Manufacturing 206，China．)
Corporation，Shanghai
Abstract：TheContrastlocalizationjSaneffectivemethodinCMOSIC’SFailure
Voltage
takes of emission
electron efficiencies
analysis．VCimagingadvantagedifferingsecondaH
withsurface on data andelectricaItonarrowthe
potentiaIlCs．Usinganalysis testing searching
contraslwasthenusedtofurtherIocatethedefect
area，voltage position．finallyprecision
FIBwas todissectthedefectandroot
cuttingby applied causeoffailurewasfound。lnthis
of contrastwas howto VCmethodon
introduced，and SEM
paper．theprinciplevoltage apply
andFfBtoIocatethedefectwasdescribedthreecases．
by
Keyword：voltagecontrast，secondaryelectron，failureanalysis
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