重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 - 中国有色金属标准 .doc

前 言 本标准等同采用SEMI MF 1528-1104 Test method for measuring Boron contamination in heaviliy doped n-type silicon substrates by secondary ion masss spectrometry 标准。 本标准由全国半导体材料与设备标准委员会提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量研究所归口。 本标准负责起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。 本标准主要起草人： 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 1 范围 1.1本标准用于二次离子质谱法（SIMS）对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污（总量）的测试。 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2％（1×1020atoms/cm3）的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于硼为非故意掺杂的p型杂质，且其浓度为痕量水平（5×1014atoms/cm3）的硅材料的测试。 1.3本标准适用于检测硼沾污浓度大于SIMS仪器检测限（根据仪器的型号不同，检测限大约在5×1012atoms/cm3~5×1013 atoms/cm3）两倍的硅材料。 1.4 原则上，本标准对于不同表面情况的样品都适用，但是本标准中的精度估算值是从表面抛光样品的测试数据中得到的。 2. 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 2.1 SEMI 标准 SEMI M1－硅单晶抛光片规范 SEMI MF1241－硅技术术语 2.2 ASTM标准 E122－评价一批产品或一个工艺过程质量的样品大小的选择惯例 注意：除非有其他说明，否则所有的引用标准都是最近的版本。 3术语和定义 3.1定义 3.1.1离子质谱－根据质荷比的不同将离子分开并计数 3.1.2一次离子－由离子枪产生的离子，聚焦到样品表面，溅射并离化样品表面原子。 3.1.3二次离子质谱－对样品表面溅射出来的二次离子进行质谱分析。 3.1.4二次离子－在一次离子束的溅射下，样品表面的原子离化并脱离样品表面形成的离子 3.2硅晶片技术中用到的其他术语的定义参考SEMI1和SEMI MF1241标准 4.原理 具有一定能量的一次离子源对样品进行轰击，溅射出二次离子，用质谱的方法对二次离子进行分析，利用相对灵敏度因子法进行定量。 5.干扰因素 5.1表面吸附的硼干扰硼的测试。 5.2 从SIMS仪器样品室吸附到样品表面的硼干扰硼的测试。 5.3 在样品架窗口范围内的样品表面必须平整，以保证每个样品移动到分析位置时，其表面与离子收集光学系统的倾斜度不变，否则测试的准确度和精度都有所降低。 5.4 测试的准确度和精度随着样品表面粗糙度的增大而显著降低，可以通过对样品表面腐蚀抛光予以消除。 5.5参考样品中硼的不均匀性会限制测试精度。 5.6参考样品中硼的标称浓度的偏差会导致SIMS测试结果的偏差。 6.测量仪器 6.1扇形磁场SIMS仪器 仪器需要装备氧一次离子源，能检测正二次离子的电子倍增器和法拉第杯检测器。SIMS仪器必须状态良好（例如经过烘烤），以便尽可能降低仪器背景。 6.2液氮或者液氦冷却低温板 如果分析室的真空度≥10-8托，用液氮或者液氦冷却的低温板环绕分析室中样品架。如果分析室的真空度低于10-8托，则不需要上述冷却。 6.3测试样品架 要保证样品架上各样品的分析表面处于同一平面并垂直于引出电场（约几千伏，根据仪器型号的不同而不同）。 7.试样制备 7.1 取样 7.1.1因为SIMS分析实际上是破坏性的试验，所以必须进行取样，且被取样品能够评价该组硅片的性质。 7.1.2本标准不包含统一的抽样方法这部分，因为大多数合适的取样计划根据每个样品的情况不同而有区别。见ASTM E122－推荐的取样计划的选择惯例 7.1.3为了仲裁目的，取样计划必须在测试之前得到测试双方的认可。 7.2样品要求 7.2.1 样品的分析面必须平坦光滑。样品表面要进行腐蚀抛光或者效果更好的化学机械抛光。 7.2.2样品必须切割成小块，以适合放入样品架内。 7.2.3需要一个体掺杂的硅中硼标样。 7.2.4需要一个硼浓度低于5×1012atoms/cm3的空白硅样品。 8.操作步骤 8.1样品装载 将样品装入SIMS样品架，并检查确认样品是否平坦地放在窗口背面，并尽可能地多覆盖窗口。一次装入的样品包括：一个空白硅样品，一个标准样品和待测样品。 8.2仪器调试 8.2.