硼氮共掺杂单壁碳纳米管电子特性研究-重庆理工大学学报.PDF

第２５卷　第９期 重 庆 理 工 大 学 学报（自然科学） ２０１１年９月 Ｖｏｌ．２５　　Ｎｏ．９ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ） Ｓｅｐ．２０１１  硼氮共掺杂单壁碳纳米管电子特性研究 １ １ １ ２ ３ ４ 韦建卫 ，蒲利春 ，胡　南 ，胡慧芳 ，曾　晖 ，梁君武 （１．重庆理工大学 光电信息学院，重庆　４０００５４；２．湖南大学 物理与微电子学院，长沙　４１００８２； ３．长江大学 物理科学与技术学院，湖北 荆州　４３４０２３；４．玉林师范学院物理与信息科学系，广西 玉林　５３７０００） 摘　　　要：基于第一性原理的密度泛函理论、结合非平衡格林函数方法，计算了硼氮共掺杂情 况下单壁碳纳米管的电子结构和输运特性。结果表明：单壁碳纳米管中进行硼氮共掺杂时，硼 氮原子更趋向于形成沿管轴方向的硼氮原子对。针对硼氮共掺杂电子效应，从电子结构、态密 度、透射系数、电流－电压曲线等方面进行了系统地探讨。硼氮原子对共掺杂显著提升了半导 体性单壁管（１０，０）的输运特性。而对于金属型（５，５）管的掺杂使得其在小偏压区间内表现出 明显的半导体特性。 关　键　词：单壁碳纳米管；硼氮共掺杂；电子结构；输运性能 中图分类号：Ｏ４６９；Ｏ４７１．１　　　　文献标识码：Ａ 文章编号：１６７４－８４２５（２０１１）０９－００９４－０６ ＴｈｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＢ／ＮＣｏｄｏｐｅｄＳｉｎｇｌｅｗａｌｌｅｄＮａｎｏｔｕｂｅｓ １ １ １ ＷＥＩＪｉａｎｗｅｉ，ＰＵＬｉｃｈｕｎ，ＨＵＮａｎ， ２ ３ ４ ＨＵＨｕｉｆａｎｇ，ＺＥＮＧＨｕｉ，ＬＩＡＮＧＪｕｎｗｕ （１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００５４，Ｃｈｉｎａ； ２．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ，ＨｕｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ４１００８２，Ｃｈｉｎａ； ３．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＰｈｙｓｉｃａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＹａｎｇｔｚｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉｎｇｚｈｏｕ４３４０２３，Ｃｈｉｎａ； ４．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＳｃｉｅｎｃｅ，ＹｕｌｉｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｙｕｌｉｎ５３７０００，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＵｓｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｔｈｅｏｒｙｃｏｍｂｉｎｅｄｗｉｔｈｎｏｎｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍＧｒｅｅｎ’ｓｆｕｎｃｔｉｏｎｓ，ｔｈｅｐａ ｐｅｒｈａｓｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｔｈｅｇｅｏｍｅｔｒｙａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅｂｏｒｏｎ／ｎｉｔｒｏｇｅｎｃｏｄｏｐｅｄｓｉｎｇｌｅ ｗａｌｌｅｄｃａｒｂｏｎｎａｎｏｔｕｂｅｓ．ＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅＢＮａｔｏｍｓａｒｅｆａｖｏｒａｂｌｅｔｏｆｏｒｍＢＮｐａｉｒｓａｌｏｎｇａｘｉｓ ｉｎｔｈｅｎａｎｏｔｕｂｅｓ．Ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｅｆｆｅｃｔｓｏｆｃｏｄｏｐｉｎｇａｒｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｆｒｏｍｔｈｅｐｏｉｎｔｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ｄｅｎｓｉｔｙｏｆｓｔａｔｅｓ，ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔａｎｄｃｕｒｒｅｎｔｖｏｌｔａｇｅｃｕｒｖｅｓ．Ｔｈｅｃｏｄｏｐｉｎｇｍａｋｅｓ ｆａｖｏｒｔ